16納米方案 Cadence DDR4物理層IP發布

    泡泡網內存頻道5月21日 今年三季度的Haswell-E/EP將成為首個支持DDR4內存的平臺，美光、三星、SK Hynix的DDR4內存也在進行中。目前DDR4的運行速率并不算多高，初代產品多數都是DDR4-2133規格的，甚至不及高頻DDR3內存。Cadence公司日前宣布他們已經使用TSMC的16nm FinFET工藝生產了新DDR40內存物理層IP，速度可達3200Mbps。

    JEDEC的標準中規定的DDR4內存頻率是16000-3200Mbps，目前美光等公司生產的DDR4內存頻率普遍都是DDR4-2133標準的，更高速的內存還在開發中。Cadence公司雖然不是內存廠商，不過他們的內存物理層IP可為其他SoC廠商的高速DDR4內存奠定了基礎。此前他們使用TSMC的28nm工藝推出了首款DDR4-2400物理層及控制器，現在則在TSMC的16nm FinFET工藝幫助下實現了DDR4-3200內存物理層的開發。

Cadence公司的DDR4-3200物理層IP的優勢

    據Cadence公司所說，其他公司不需要重新設計DDR4物理層接口，即便原來的最高速率只有DD4-2400，Cadence公司的物理層IP也可以通過提升額外的魯棒性、改善系統余量實現DDR4-3200Mbps運行。此外，最新的DDR4-3200物理層IP還向下兼容早期的DDR3及低速率DDR4內存規范。■