SK Hynix今年量產36層堆棧的3D NAND

    四大NAND豪門中，三星在2014年制霸全球SSD市場，Intel、閃迪、美光、東芝也位列前五，唯獨SK Hynix位列第十，SSD營收比希捷、西數還低。不僅是閃存，就連內存產業，SK Hynix也被三星遠遠甩在了后面，現在SK Hynix準備奮發圖強，今年量產36層堆棧的3D NAND閃存，還有16nm工藝的TLC閃存，DRAM內存也加速推進后10nm工藝。

別人雖然有技術領先優勢，但SK Hynix有秘密武器（大火）

    三星這兩年獲得更高的NAND及DRAM份額主要是靠技術推動，他們去年就率先量產了V-NAND技術的3D閃存，三星之外的其他公司要到今年才開始生產。SK Hynix表示他們去年成功開發了24層堆棧的3D閃存，今年也準備大規模量產3D閃存了，首次量產的則是36層堆棧的3D閃存，今年底還會準備48層堆棧的3D閃存量產工作。

    三星量產的V-NAND閃存是32層堆棧的，不過今年下半年也準備量產48層堆棧的，Intel/美光系公布的3D NAND閃存也是32層堆棧的，更多堆棧的也在研究之中了。東芝、閃迪也在日本四日市新建Fab 2工廠，預計2016年才會大規模量產3D閃存。

    除了3D閃存，SK Hynix也會繼續加強傳統的平面閃存，很快會推出16nm TLC閃存，并在Q2季度將TLC閃存產能提升到10%的比例，今年底達到40%的比例。此外，Q3季度他們還會推出16nm TLC閃存的SSD，并會把TLC SSD的比例提升到20-30%。

    內存方面，三星的20nm工藝已經大規模量產了，SK Hynix還需要不斷提升產品。位于韓國京畿道省利川市的M14 DRAM晶圓廠已進入最終階段，半導體設備已經備貨了，預計從年底開始運營。一旦開始正式生產，其產能將達到每月1.5萬片晶圓。

    不過SK Hynix在技術上還有點落后，他們預計要到明年6月份才能提供后10nm工藝的DRAM樣品，而三星已經準備量產后10nm工藝DRAM內存了。■