三星展示DDR5內(nèi)存:頻率,容量再瘋一把

       2007年，DRAM產(chǎn)業(yè)宣布DDR3時代來臨，到了到了2012年，DRAM才正式進入DDR4，五年的時對于瞬息萬變的科技界來說，實在不短。如果算上圖紙階段，更是長達8-9年。

       不過，隨著Intel Skylake的全面推出，DDR4內(nèi)存終于要迎來春天。而就在這個時候，三星已經(jīng)開始想DDR4繼任者的事情了。

       據(jù)ComputerBase報道，三星在近日披露了“Post-DDR4”（后DDR4，是否DDR5，要等固態(tài)技術(shù)協(xié)會確認）內(nèi)存的一些技術(shù)細節(jié)和規(guī)劃，其將用于服務(wù)器、臺式機和筆記本電腦。注意，手機、平板等將繼續(xù)沿用LPDDR4，顯卡產(chǎn)品則使用HBM。

       三星的路線圖顯示，后DDR4內(nèi)存每個針腳的傳輸速率將達到6.4Gbps，是目前DDR4的2-4倍，帶寬會突破51.2GB/s（假設(shè)位寬64），實現(xiàn)翻番。此外還有內(nèi)存組數(shù)（Banks），DDR3是8個，DDR4是16個，后DDR4最高64個。

       單顆粒容量上，從4Gb、8Gb最高增加到32Gb，這樣的話，32GB（8顆）的內(nèi)存將不是問題，畢竟現(xiàn)在PC胃口越來越大。

       在工藝制程上，三星給出了“sub 10nm”這樣的說法，因為原型產(chǎn)品最快要等到2018年，他們此次并沒有直接畫大餅，還是比較保守。

       DDR4頻率目前最高是4.26GHz（芝奇），后DDR4肯定會繼續(xù)增長，三星目前也在考慮包括光學(xué)接口、2.5D或者3D封裝。

       需要指出的是，DRAM的生產(chǎn)仍要考慮多個因素，拋開技術(shù)層面還有市場需求，一切順利的話，2020年服務(wù)器可以率先用上。■