惠普 閃迪開(kāi)發(fā)非易失閃存 速度快千倍

    今年7月份，Intel聯(lián)合美光推出了3D XPoint存儲(chǔ)方案，從形式上顆粒可理解為“3D閃存”。Intel在8月的IDF上上來(lái)就介紹了這項(xiàng)新技術(shù)，這是一種基于電阻的非易失性內(nèi)存存儲(chǔ)方 案，讀取延遲10納秒級(jí)別，使用壽命即全盤(pán)寫(xiě)入1000萬(wàn)次級(jí)別，介于傳統(tǒng)DRAM、NAND之間。

    令人印象深刻的是，Intel稱基于3D XPoint非易失性存儲(chǔ)方案，比傳統(tǒng)NAND閃存速度快1000倍、壽命長(zhǎng)1000倍、存儲(chǔ)密度高10倍，號(hào)稱1989年NAND閃存推出以來(lái)最大的存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新。

    考慮到現(xiàn)在DRAM、固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，蛋糕可不能僅僅由Intel和美光獨(dú)享。

    外媒報(bào)道稱，惠普與SanDisk周四共同宣布，雙方將就聯(lián)合推出新內(nèi)存芯片達(dá)成合作協(xié)議。新技術(shù)號(hào)稱可比傳統(tǒng)閃存快1000倍，主要面向市場(chǎng)除了移動(dòng)設(shè)備外，還包括數(shù)據(jù)中心等企業(yè)領(lǐng)域。

    很明顯，惠普與SanDisk的技術(shù)合作旨在挑戰(zhàn)英特爾與美光于今年7月共同推出3D Xpoint內(nèi)存技術(shù)。惠普和SanDisk表示，其新內(nèi)存產(chǎn)品可于未來(lái)大規(guī)模取代傳統(tǒng)DRAM，以更低價(jià)格和更快性能入駐企業(yè)數(shù)據(jù)中心。■