三星量產(chǎn)全球首個單條128GB DDR4內(nèi)存

    2014年8月底，三星電子宣布量產(chǎn)全球先進款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術打造的DDR4內(nèi)存條，單條容量高達64GB。

    一年多后，三星將這一容量翻了一番，開始量產(chǎn)128GB TSV DDR4內(nèi)存條。

    新內(nèi)存依然是面向企業(yè)級服務器市場的RDIMM類型條子，使用了多達144顆DDR4內(nèi)芯片，每一顆容量8Gb(1GB)，然后每四顆芯片利用TSV技術緊密封裝在一起，總計36個組，分布在內(nèi)存條兩側(cè)。

    制造工藝是三星非常先進的20nm，起步頻率2400MHz，接下來將逐步提升到2667MHz、3200MHz。

    另外，三星還會把TSV硅穿孔技術應用到HBM高帶寬內(nèi)存中。■