內(nèi)存也與時(shí)俱進(jìn)! DDR2內(nèi)存新規(guī)格曝光

    電子元件工業(yè)聯(lián)合會(JEDEC)宣布已經(jīng)正式完成了全緩沖雙列直插式存儲模塊(FB-DIMM)的最終規(guī)范并對外公布。

    FB-DIMM是一種新的內(nèi)存架構(gòu)，可以提供更強(qiáng)的穩(wěn)定性、更好的可伸縮性、更大的帶寬和更高的容量，主要面向服務(wù)器應(yīng)用。FB-DIMM與常規(guī)DIMM的主要區(qū)別是它的內(nèi)存控制器和內(nèi)存模塊之間采用串行模式通信，類似PCI-E。

 FB-DIMM內(nèi)存工作模式

    來自三星電子的JEDEC主席Mian Quddus表示：“FB-DIMM是一種很重要的新式內(nèi)存架構(gòu)，因此JEDED仔細(xì)進(jìn)行了評估。相比于Registered DIMM，F(xiàn)B-DIMM不但提供了至少四倍的容量和顯著的帶寬提升，也使內(nèi)存跟上了企業(yè)級平臺需求的步伐，如更快速的處理器等。”

 DDR2-DIMM與FB-DIMM容量、帶寬和針腳對比

    根據(jù)規(guī)范，F(xiàn)B-DIMM采用標(biāo)準(zhǔn)DDR2內(nèi)存配合內(nèi)存上的高級內(nèi)存緩沖(AMB)芯片來獲得內(nèi)存與內(nèi)存控制器之間的高速度、點(diǎn)對點(diǎn)信號傳輸和高速串行總線通道。相比傳統(tǒng)的并行內(nèi)存總線，串行總線還能減少控制器需要的針腳數(shù)，簡化跨主板多通道間的通信。

    目前，Intel的新服務(wù)器和工作站平臺已經(jīng)支持FB-DIMM，AMD未來的Opteron處理器也有望支持這種新的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。

    JEDEC同時(shí)還正在制定基于DDR3的下一代FB-DIMM內(nèi)存規(guī)范，頻率將得到進(jìn)一步提升。

    編輯點(diǎn)評：內(nèi)存規(guī)格的發(fā)展最近幾年可以說到了一個(gè)高峰時(shí)期，短短兩三年間我們由SDRAM過渡到DDR使用上DDR2，目前又推出了全新FB-DIMM構(gòu)架，期待嶄新的DDR3快些來到我們身邊，讓我們體驗(yàn)一下全新規(guī)格內(nèi)存帶給我們的便利。

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