三星發飆：28nmFD-SOI投片 功耗暴降一半

       前兩天，快科技曾報道，華人科學家胡正明教授剛剛被美國總統奧巴馬授予2015年全美最高技術獎。

       作為半導體業界的翹楚，他在采訪中談到，在25nm看到盡頭時美國政府曾向業界征集方案，胡教授之后提出了FinFET和UTB-SOI（FD-SOI），前者我們很熟悉，后者的中文名稱是“全耗盡絕緣硅”。

       從技術上比較簡單的區分就是，FinFET是立體型晶體管，而FD-SOI仍是平面型。

       雖然1Xnm已經進入消費領域，但是20nm遠沒有要到退出市場的地步，還有大量的產品需求。

       據外媒報道，三星LSI業務總監Kelvin Low稱，他們和意法半導體合研的28nm FD-SOI已經開始投產，法國半導體公司Soitec SA提供SOI基底材料。

       FD-SOI最大的亮點在于超低功耗，尤其是對比HKMG（后閘極，約50%+），如今物聯網（IoT）、汽車等嵌入開發對芯片的這一特性非常敏感，ST、飛思卡爾等都明確表態支持且等待排片。

       當然，值得一提的是三星的“好基友”GlobalFoundries，他們在7月份全球首發了22nm FD-SOI，電壓做到了業界最低的0.4V，領先三星一年。

       GF現在境遇不佳，屢屢被傳出收購，如果明年22nm FD-SOI供貨不理想，三星很有可能直接發怒當“接盤俠”?！?/p>