Qimonda突破極限 欲推58納米DRAM制程

    內(nèi)存制造商Qimonda AG的工程師日前表示，該公司計劃在2006年12月舊金山舉行的IEEE國際電子設(shè)備會議(IEDM)上，就58納米DRAM制造工藝技術(shù)進行演講報告。

    Qimonda的研究人員預計將展示完整的58納米過程技術(shù)，他們曾經(jīng)用將此技術(shù)于制造512Mb容量DRAM，工作電壓為1.2V和1.35V之間，存取時間支持每通道數(shù)據(jù)率3.2Gbps。根據(jù)報告摘要顯示，這個DRAM技術(shù)具有一個擴展的U形單元結(jié)構(gòu)，一種金屬絕緣體硅溝狀電容，帶有不導電的高k門電路，k=2.8的絕緣體用于末端互連。

    目前，生產(chǎn)DRAM內(nèi)存具有實用價值的非常先進工藝為70納米至80納米范圍。三星電子宣稱，開始在2006年8月使用80納米工藝批量生產(chǎn)1GB容量DRAM內(nèi)存。

    Qimonda于2006年8月從母公司英飛凌中分離出來，將內(nèi)存制造業(yè)務通過IPO而成立。