在近日于日本召開的ISOM 2006（International Symposium on Optical Memory，國際光存儲(chǔ)器研討會(huì)）上，飛利浦公司的研究員（R. G. J. A. Hesen、J. H. G. Jaegers、A. P. G. E. Janssen、 J.Rijpers、P. R. V. Sonneville、J. J. H. B. Schleipen ）宣布了他們的在基于銅－硅（Cu:Si）記錄層的BD-R光盤上進(jìn)行10與12倍速刻錄試驗(yàn)的成果。

    光盤的刻錄速度取決于刻錄設(shè)備和光盤本身，光盤的物理參數(shù)也是最寫入速度的限制，其中包括在調(diào)整旋轉(zhuǎn)時(shí)的噪音等級(jí)，但最重要的物理限制則是光盤的最高轉(zhuǎn)速。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的12cm直徑的光盤（CD/DVD）來說，目前能在半高型光驅(qū)中實(shí)現(xiàn)的最高轉(zhuǎn)速是10800rpm，而BD光盤在一倍速（CLV方式）時(shí)，最高轉(zhuǎn)速是1955rpm（內(nèi)圈），最低821rpm（外圈），所以早前就有技術(shù)分析認(rèn)為BD理論上最高的刻錄速度是12X（CAV，HD DVD的最高刻錄速度是8X）。當(dāng)然，速度的提升也離不開光盤所用材料性能的進(jìn)步，以及刻錄設(shè)備的更高控制精度與更強(qiáng)大的激光功率。TDK早前曾經(jīng)宣布實(shí)現(xiàn)了6X BD-R刻錄速度。

    飛利浦的研究人員成功地演示了7X（4X-7X CAV）以及10X和12X的刻錄，不過試驗(yàn)用的BD-R光盤不是使用相變記錄層或是染料記錄層，而是采用了新的Cu:Si雙分子薄膜記錄層。TDK是第一家在BD-R光盤上采用這種記錄層的廠商，當(dāng)激光照射到記錄層時(shí)，Cu:Si雙分子薄膜將融合，在反射率上與未經(jīng)照射的區(qū)域形成反差，從而形成一個(gè)記錄信息點(diǎn)（Recorded Mark），但很大的挑戰(zhàn)是，如果為非常好的寫入策略來定制每一分子層的厚度。

    Cu:Si雙分子薄膜記錄原理：當(dāng)高溫的激光照射到記錄層時(shí)，硅與銅合金融化并相融合在一起，當(dāng)激光經(jīng)過后，冷卻下來，就形成了硅銅合金，也就成為了一個(gè)信息坑。

    飛利浦的研究員表示，通過他們對(duì)Cu:Si記錄層的實(shí)驗(yàn)，已經(jīng)可以獲得足夠的刻錄質(zhì)量（jitter小于7%）。

    能達(dá)到12X的刻錄速度，意味著刻錄一張單層BD-R光盤（25GB）只需11分鐘（現(xiàn)有的2X刻錄需要約45分鐘），雙層光盤則為22分鐘。不過，現(xiàn)在比較現(xiàn)實(shí)的BD-R刻錄速度還是低于7X。要想達(dá)到12X的速度，復(fù)雜程度將大大提高，這不光是光盤本身的事情，還將對(duì)刻錄設(shè)備的伺服系統(tǒng)與系統(tǒng)性能有很高的要求（12X時(shí)的數(shù)據(jù)傳輸率將達(dá)54MB/s，系統(tǒng)能否穩(wěn)定的提供如此高的數(shù)據(jù)傳輸率，肯定是個(gè)問題）。飛利浦的研究員表示，他們將盡快解決所有相關(guān)的問題。