內存新規格 奇夢達DDR366移動RAM曝光

    DDR366的數據傳輸速率為366Mb/s，比標準DDR266 DRAM快30%。在系統設計不改變的前提下，該性能記錄是采用常規BGA封裝方式實現的。 DDR366不但具備電池供電設備所需的超低功耗，而且采用了適用于板卡空限受限產品的極其緊湊的芯片級封裝。基于節電型溝道技術以及電源管理特性，如TCSR（溫度補償自刷新）、PASR（部分陣列自刷新）、OTCS（片上溫度傳感器）和DPD（深度省電）模式，DDR366實現了工作電流最小化，從而延長了電池工作時間。

    DDR366規格的推出，肯定會對DDR266 DRAM造成沖擊，畢竟DDR366在性能上要高出不少。它將滿足具有多種應用的消費類手持終端。