替代閃存!Intel計劃今年初推相變內存

    Intel計劃于2007年上半年推出90nm制程128Mbit規格的相變內存，在2007年底應來大規模量產。Intel 閃存部門的副總裁Brian Harrison和首席技術官員Ed Doller在3月6號的會議上透露，Intel早在2000年就從Ovonyx（Energy Conversion Devices的子公司）那里獲得了授權研究相變存儲技術，而在2006年6月，Intel也和STMicroelectronics合作，研究將相變內存代替閃存作為下一代非易失性存儲設備。

    對將相變內存作為閃存替代方案的公司越來越多，例如奇夢達（前Infineon內存業務部）和IBM合作在進行相關研究。

    Ed Doller會上還表示，128Mbit存儲設備已經測試證明能經過1億次擦寫以及保存資料10年以上。他還表示相變內存有可能會作為部分PC系統里的內存。