IDF07：Intel展示PRAM看能否取代DRAM

    英特爾公司的技術總監拉特納計劃在IDF技術峰會上，首次公開演示其PRAM技術。PRAM是由英特爾和數家其它公司聯合開發的一種非揮發性內存,被認為可能取代閃存，甚至是DRAM.與DRAM不同的是，在產品掉電前，閃存等非揮發性內存不會丟失存儲的信息。但是，與DRAM相比，閃存讀寫數據的速度要慢得多，而且容量較小，制造成本也更高。

    其實，英特爾早期就已經計劃在今年上半年出樣90nm工藝128MBIt（16MB）的FPRM，PRAM也就是－－Phase-change random access memory相變隨機存取儲存器的簡稱，PRAM類似于目前大家常見的CDRW盤片，其可以在一定情況下從非晶態轉化到晶體狀態，具體其通過加熱一個由摻雜硫族化合物組成的薄膜，這種電流可以使儲存單元在阻性非晶態和導性晶體狀態這兩種狀態下進行切換。

   英特爾和其它公司都希望PRAM能夠取代NOR和NAND閃存，提高PRAM芯片的需求，降低其生產成本。閃存被廣泛應用在手機和其它便攜式產品中，但也能被應用在PC中。閃存還是英特爾Robson閃存緩沖技術的核心。PRAM的應用范圍與閃存一樣，英特爾正在調查PRAM的新用途，看它是否能夠取代DRAM，它的性能似乎不弱于DRAM。即使證明PRAM能夠取代DRAM，它也不可能完全取代DRAM。