Intel已開展DDR3認證 HYnix率先通過

    全球最大的DRAM半導體芯片制造商之一的韓國HYnix最新宣布，該公司出品的DDR3內存芯片產品已經通過intel相關DDR3內存產品資格認證。其實早在今年Intel在中國舉辦的IDF技術峰會上，我們就看到了Hynix的DDR3產品。

 2GB DDR3-1066(7-7-7)

    Hynix半導體最新推出來的DDR3內存芯片容量為1G bit，采用80納米制程工藝生產，這一工藝技術生產出來的芯片可以用來制造1GB，2GB的DDR3內存模組產品。新內存芯片可以設定工作頻率在800MHz，時序設定可以在CL5 5-5,或者CL6 6-6，頻率設定到1066MHz的時候，時序設定就在CL7 7-7，工作電壓都設定在1.5v的標準數值界限上。

    到目前為止，Hynix半導體還是唯一通過Intel產品認證的DDR3內存芯片供應廠商，并且目前在Intel官方網站相關認證頁面也可以看到Hynix的認證名稱。

    相比當前流行的DDR2內存模組，DDR3擁有更高的性能和更低的功耗表現，工作電壓低至1.5v，采用相比DDR2 4bit預存取效率更高的8bit預存取技術，同時內嵌ODT片內終結電阻模塊，雖然CL時序設定參數高達7，但是相比DDR2同頻率內存模組，DDR3提升的借助預技術和其他更新技術特性，因此在效能表現的綜合測試表現上要快過DDR2不少。