未來內存希望 IBM和TDK攜手研發MRAM

    近期，IBM和TDK兩公司宣布將攜手研發大容量、高密度的MRAM，以推動MRAM（磁阻內存）的量產和市場推廣。聯合研發計劃的重點是開發高容量、高密度的磁阻內存電路，他們將研究如何應用自旋動量轉移來生產體積更小的數據存儲單元。IBM公司與TDK公司聯合研發計劃為期四年，將在IBM公司和TDK公司的多個研究機構內進行，其中包括TDK公司在美國加州Milpitas市的研發中心。

    MRAM被認為是未來的內存，使用它我們可以迅速開啟電腦，況且每次啟動時無須向內存中加載軟件。將來如果磁阻內存獲得推廣，我們將可以在幾秒鐘之內啟動電腦系統。因為磁阻內存的數據斷電也可自行保存，無須再從硬盤上載入。 不過，目前市場上的MRAM芯片容量僅幾兆字節，只能滿足嵌入式控制系統的要求，還不能滿足現代個人電腦的需求。

    如果TDK和IBM公司的研究成功，將可以滿足生產體積小、容量大的芯片需求。同時，兩公司希望能夠擴大MRAM芯片的容量使其更加廣泛地應用于手機和手持電腦中。業內人士預計，磁阻內存將取代今天所有的內存和閃存產品。