業界第一款 三星研發出60nm內存芯片

    三星近期表示，已開發出采用60nm級制程地2GB DDR2 DRAM，并取得Intel認證，將于2007年底起導入量產。據了解，此次開發出的60奈nm2GB DDR2 DRAM的最快速度可達800Mbps，與80nm 2GB DDR2相比，性能可以最多提升20%，更重要的是節能效率可以增強40%。

    三星還表示2007下半年起DRAM市場將由512MB轉換為1GB，而三星也將透過此次推出的60nm 2GB DRAM，希望以高性能產品持續主導DRAM市場。