國商威武!中芯國際40nm造全新PRAM內存

    目前，國內最大的晶圓代工廠當屬中芯國際，除了處理器業務之外，他們現在又打算把觸手伸向存儲芯片行業。2014年9月，中芯國際成功的自主研發了采用38nm工藝的NAND閃存芯片。

    日前，中芯國際與Crossbar公司成功簽署了一項合作協議。協議的內容包括，中芯國際將使用40nm工藝為Crossbar代工PRAM阻變式存儲器芯片，這項協議的簽署代表中芯國際成功進軍下一代內存產業。

    PRAM阻變式存儲器，亦可稱之為相變內存，其使用硫化物玻璃進行制造，芯片的特點在于，硫化物玻璃受熱后可以在晶體和非晶體之間進行形態變化，不同的狀態下，其電阻亦不相同，利用這項特性，我們可以進行數據的存儲。

    與DRAM相比，PRAM不僅寫入速度上快30倍，同時，壽命也要比DRAM高出10倍以上。而且PRAM最大的優點在于設備斷電后依舊可以保存數據，這樣來看，PRAM不僅僅可以代替內存，同時還可以取代閃存。

    PRAM具有高性能和低功耗的優點，未來將可用于在物聯網、可穿戴設備、平板電腦、工業市場等環境下。目前Intel和三星等行業領導者都在大力推進PRAM內存的發展。■