3D NAND技術(shù) Intel發(fā)布數(shù)據(jù)中心級(jí)SSD

    英特爾于今日推出了發(fā)布了P3320和DC P3520兩款數(shù)據(jù)中心級(jí)SSD新品，并且首次用上了3D NAND技術(shù)。與此同時(shí)，DC3600和DC3700系列SSD新品也首次配備了雙端口。該公司稱，SSD DC P3320采用了PCIe 3.0 x4接口、支持NVMe協(xié)議且性能爆表，主要面向讀取密集型云存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)分析應(yīng)用。

    450GB版本的P3320，其順序讀取速率高達(dá)1100MB/s、隨機(jī)讀取達(dá)到了130k IOPS；順序?qū)懭霝?00MB/s、隨機(jī)寫入17k IOPS。

    2TB版本的DC P3320，其順序讀取更是突破了1600MB/s、隨機(jī)讀取突破了365k IOPS；順序?qū)懭?400MB/s、隨機(jī)寫入22k IOPS。

    英特爾并未分享太多有關(guān)P3520 SSD的細(xì)節(jié)，但其稱這些驅(qū)動(dòng)器“較DC P3320有著明顯的性能提升和延遲改進(jìn)”，使得它們很適合存儲(chǔ)虛擬化和web托管環(huán)境。

    SSD D3600和DC3700系列則主要面向那些追求高性能和大容量的企業(yè)客戶，其采用了雙端口設(shè)計(jì)，適合那些需要24/7在線訪問(wèn)和保證故障恢復(fù)的在線交易處理類應(yīng)用。

    據(jù)英特爾所述，“高可用性存儲(chǔ)架構(gòu)”需要至少2個(gè)控制器，從而實(shí)現(xiàn)通過(guò)多路徑拓補(bǔ)（multi-path topology）技術(shù)訪問(wèn)同一個(gè)驅(qū)動(dòng)器。即使一個(gè)主控掛掉了，也不會(huì)造成服務(wù)的中斷。

    英特爾認(rèn)為，這些新品會(huì)對(duì)早已使用SAS存儲(chǔ)的企業(yè)擁有相當(dāng)大的吸引力，想要遷移至全閃存或混合閃存存儲(chǔ)陣列的企業(yè)，也會(huì)樂(lè)于看到這些雙端口SSD。

    DC D3600和DC D3700均使用了PCIe 3.0接口，英特爾亦稱它們是首批支持NVMe 1.2規(guī)范的驅(qū)動(dòng)器，NVMe就是專門為高可用性存儲(chǔ)系統(tǒng)而設(shè)計(jì)的。

    NVMe 1.2提供了如下特性：

    80 SQ/CQ + 1 每端口隊(duì)列管理；

    支持 WRR 隊(duì)列優(yōu)先級(jí)；

    動(dòng)態(tài)多名稱空間；

    預(yù)留（Reservations）；

    Scatter/Gather I/O；

    1MB MDTS；

    ? 支持 CMB 提交隊(duì)列。

    英特爾聲稱，在生命周期內(nèi)，上述驅(qū)動(dòng)器的性能退化不會(huì)超過(guò)5%，同時(shí)保證90%的IOPS。■