三星今年量產10nm工藝 性能再提升10%
Intel本來是地球上最強大的半導體公司，但在14nm工藝節點上Intel放緩了工藝升級的腳步，2年一個周期的Tick-Tock戰略變成了3年才升級一次工藝。Intel放慢腳步也給了其他廠商趕超Intel的機會，三星日前宣布今年底將量產10nm工藝，而且第二代10nm高性能工藝也在進行中，性能還會再提升10%。
TSMC及三星都憋足了勁要超越Intel，爭取在下一代10nm工藝上領先。在這其中，三星領先于TSMC率先量產了14nm FinFET工藝，去年底也推出了10nm SRAM芯片，看起來進度更快一些。
三星日前在美國加州舉辦了一次活動，介紹了他們的工藝進展。三星展示了新一代14nm工藝，主要優化了成本。至于10nm工藝量產問題，三星高管透露今年底就會量產。
此外，三星還透露了第二代10nm工藝的進展，稱其性能會比第一代10nm工藝提升10%。這也意味著10nm節點上，三星會跟目前的14nm節點一樣推出兩種工藝，三星最早量產的是14nm LPE工藝，主打低功耗，第二代工藝則是14nm LPP，主打高性能，自家的Exynos 8890、高通的驍龍820處理器都是基于14nm LPP工藝的，AMD的Zen處理器、Polairs GPU也將會使用14nm LPP工藝，不過代工廠是GlobalFoundries，后者使用的是三星的14nm技術。
如果三星真的能在今年量產10nm工藝（估計跟當初搶先14nm工藝一樣都是少量生產，不可能大規模量產），那么確實能在競賽中領先對手，Intel的10nm處理器要等到2017年下半年，而TSMC表示他們的10nm工藝已經有20多個客戶，今年會試產，明年上半年量產。
PS：雖然TSMC、三星在10nm工藝量產時間上確實有可能超越Intel，但這不意味著他們的技術就能超過Intel了，因為三星及TSMC的FinFET工藝是基于之前的工藝改進的，14/16nm的柵極間距等指標不如Intel工藝，工藝難度比Intel低，用這個贏Intel有點名不副實。
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