DRAM上演納米戰 奇夢達將推58nm工藝

    據奇夢達亞太區計算類存儲產品部市場經理吳至中介紹，目前70nm工藝已占奇夢達70%產能，今年將會導入58nm制程，然后會不斷向46nm、30nm挺進。吳至中透露，70nm是奇夢達DDR3產品的工藝起點，但低功耗的實現能力則是奇夢達的技術優勢。

    據悉，英特爾將在2008年中，推出業界首臺擁有省電、高性能的DDR3內存之迅馳移動運算技術平臺。Intel對此的評價是，即將上市的Intel迅馳雙核處理器加上奇夢達SO-DIMMs低功耗及高帶寬，將使Intel的PC、服務器以及移動平臺在2008年展現更高性能，并兼具省電及增大容量的特性。

    來自Intel的評測，在目前能提供1G DDR3-1333設計者中，只有奇夢達達到了低于2.5W——為一臺典型的筆記本電腦配置2GB SO-DIMM內存所限定的最大功耗。

　 2GB的SO-DIMM模塊采用了75nm工藝的1Gbit DDR3組件，省電效果非常明顯，與DDR2相比，DDR3優勢明顯，DDR3僅需1.5伏特的電力供給，而DDR2則需1.8伏特。根據SO-DIMM容量的不同，奇夢達的DDR3 SO-DIMMs與現今主流的DDR2模塊相比，可以節省30%到50%的耗電量。