革新！二通道主控成主流

    SSD的主要構成部分是由主控芯片和NAND閃存組成，所以不少人將SSD性能指標放在主控的區分上，其實這是錯誤的。其實一個SSD使用的固件與閃存種類都是對其性能有相當大影響的。

    目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，他們的接口和產品之間的規格是不同的。

    2007年1月，以英特爾，鎂光，海力士，意法半導體，力晶為首的NAND閃存廠商和控制芯片開發商臺灣群聯電子以及產品廠商索尼等宣布統一制定連接NAND閃存和控制芯片的接口標準“ONFI 1.0”。將傳統的Legacy接口每通道傳輸帶寬40MB/s提升到50MB/s，直到2011年3月，ONFI 3.0宣布了，提升接口帶寬到400MB/s，降低CE針腳需求來提升PCB的布局能力。

    Toggle DDR Mode標準源自三星和東芝于2010年6月聯合制定的全新NAND閃存接口標準。這里所謂的“DDR”其實和DDR內存的道理是一樣的，利用DQS信號的上升沿和下降沿都進行一次數據的傳輸，速度自然翻倍。目前東芝Toggle DDR Mode 1.0的標準其接口每通道帶寬可以達到133MB/s，而最新的Toggle 2.0標準和ONFI 3.0一樣可以達到400MB/s的接口帶寬。

    早期的主控芯片通道數都是8通道，有的甚至達到10通道，與當時的NAND閃存技術落后有著密不可分的原因。當時的NAND閃存有很大一部分是異步的Flash(Async)，帶寬只有50Mbps且Flash的page size一般只有4KB，8KB，只有8通道的主控才能發揮SSD在SATA III接口下的最強效能。但是隨著NAND閃存技術進一步成熟，各主控廠商開始設計4通道的主控，Flash帶寬也持續提升，現在SSD主流接口以SATA 3.0為主，理論傳輸速度為600MB/S。那么使用最新的Toggle 2.0標準的閃存在雙通道的主控下就能達到800MB/s，當然這只是理論值，實際傳輸速度還要受到主控性能和各種延遲的影響，但是完全能夠輕易的勝任以前四通道主控才能做到的工作。

    然后我們不得不說的就是續航問題，隨著無紙化辦公開始出現,一切全都在電腦中操作。便攜性和續航就成了人們對于筆記本選擇的首要衡量標準。這個時候雙通道主控比起四通道主控的優勢簡直強了不是一點半點。就拿影馳全選的鐵甲戰將120來說，使用的是群聯最新的S11主控，IC 只有9x9mm的大小。在PS3110-S10基礎上沿用SLC Cache算法提升TLC閃存固態硬盤的性能，并改用40nm工藝制造，內核工作電壓僅1.1V，對降低固態硬盤能耗，提高筆記本電腦的續航時間有著極大幫助。同時，在移除外置緩存，也是降低功耗的一大原因。

    關于穩定性上，作為最新的科技產物，S11加入了SmartZIP功能、LDPC糾錯功能，支持ETE保護。采用帶進階型XOR校驗RAID ECC糾錯和矩陣式的ECC管理，這也就讓SSD的數據可以被修復。這使得用戶的心病得到解決。

    我們發現隨著閃存技術的進步，不僅使SSD綜合性能進一步提升，而且新制程的閃存降低功耗。二通道主控在成本上和功耗上有著四通道主控所不可比擬的優勢，毫無疑問將成為各大廠商新寵。■