GlobalFoundries 2018年試產7nm工藝

    作為AMD最倚重的代工合作伙伴，GlobalFoundries的工藝進展也會影響AMD的CPU/GPU發(fā)展。現(xiàn)在GF決定跳過10nm工藝，直接推出性能更強的7nm FinFET工藝，但在進度上，業(yè)界普遍認為GlobalFoundries速度要比三星、TSMC以及Intel更慢，他們2019年才會推出12nm FD-SOI工藝，7nm量產似乎更加遙遠。但是今天GlobalFoundries首次公開7nm工藝進展，預計2018年開始試產，并且已經跟領先的伙伴開始合作了。

    GlobalFoundries此前在工藝研發(fā)上一直磕磕絆絆，F(xiàn)inFET工藝節(jié)點狠心放棄了自研的14nm-XM工藝，直接使用了三星的14nm FinFET授權，今年已經正式量產，為AMD代工了Polaris顯卡，未來還會有Zen架構處理器，總算是穩(wěn)定下來了，雙方對彼此的合作還挺滿意的，前不久才簽署了未來五年的晶圓供貨協(xié)議。

    14/16nm工藝之后是10nm節(jié)點，TSMC及三星都爭著在今年底或者明年初推出10nm代工服務，Intel明年下半年量產10nm工藝，但GlobalFoundries決定跳過10nm節(jié)點，原因我們之前也分析過——相對來說，10nm工藝被認為是14/16nm工藝的優(yōu)化版，跟20nm工藝那樣偏向低功耗，屬于過渡節(jié)點，而GlobalFoundries自己也經不起折騰，索性跳過這一節(jié)點，直接殺向未來高性能的7nm節(jié)點。

    問題是GlobalFoundries的7nm何時問世，畢竟TSMC和三星在7nm節(jié)點上也進展很快，雙方都搶著在2018年推出新工藝，TSMC更是自信滿滿，認為自家7nm工藝在性能、功耗及核心面積上都要超過友商。現(xiàn)在GlobalFoundries官方總算透露了一點口風，表示將在紐約州的薩拉托加Fab 8工廠研發(fā)7nm工藝，預計2018年風險試產。

    GlobalFoundries還公布了7nm工藝的具體性能——與目前的16/14nm FinFET工藝相比，7nm工藝將帶來兩倍的晶體管密度提升，性能提升30%或者功耗降低60%。此外，GlobalFoundries表示7nm工藝可以再利用相當多的14nm半導體制造設備，還會繼續(xù)使用目前的光刻機，不過保留未來使用EUV光刻機的能力——EUV工藝預計會在5nm節(jié)點正式啟用。

    雖然2018年早些時候才會試產，不過2017年下半年客戶就能開始產品設計了，這進度還是挺快的，只不過最終產品問世還要等很久，流片成功之后通常也會有一年半載時間才能上市，也就是2019年才有可能看到7nm產品。

    值得注意的是，GlobalFoundries已經跟領先的客戶在Fab 8工廠合作7nm芯片原型了——雖然他們沒公布是誰，但能跟GF合作最親密的就是AMD了，早前也有消息爆料稱AMD在準備7nm工藝的下一代服務器芯片，代號“星河艦隊”（starship），48核96線程，比目前的Naples那不勒斯更強大。■