探尋6G背后秘密 X3 720突破頻率極限

    處理器的頻率極限究竟是多少？相信即使是超頻玩家自己也不能說出確切的數(shù)字。每次處理器制程進(jìn)步，內(nèi)存極限狀態(tài)下體質(zhì)提升，主板針對處理器供電優(yōu)化設(shè)計(jì)的改進(jìn)，以及玩家自身超頻水平的變化，都決定著極限頻率的誕生。

    進(jìn)入45nm以后，AMD處理器在高頻的配合下架構(gòu)的優(yōu)勢得以體現(xiàn)，還未上市就引來了不少極限超頻玩家的追捧，造就了一個(gè)又一個(gè)處理器主頻記錄。

    此次，世界超頻團(tuán)隊(duì)speedtime又一次做出了新的世界級記錄，將現(xiàn)在處于神壇中的phenom II X3 720勇超6GHz。

● 45nm牽一發(fā)動(dòng)全身：Phenom II技術(shù)解析！

    基于K10.5架構(gòu)的Phenom II處理器。45nm工藝制作的處理器依舊延續(xù)之前的“巴塞羅那”架構(gòu)，不過由于制程和緩存的提升，無論在功耗還是性能上都有不俗的表現(xiàn)，究竟這顆號稱性能最高提升35%，功耗最高降低35%的AMD產(chǎn)品有何特別之處呢？

  ◎ 1.采用45nm SOI沉浸式光刻制造技術(shù)

　　AMD的45納米制程工藝是聯(lián)合IBM一同研發(fā)的。有趣的是，與英特爾的高-K金屬柵極不同，AMD和IBM的技術(shù)是超低K電介質(zhì)互聯(lián)。而另兩項(xiàng)相關(guān)技術(shù)分別是：多重增強(qiáng)晶體管應(yīng)變技術(shù)和沉浸式平板印刷術(shù)。

    簡單來說，多空、超低K電介質(zhì)可以降低串聯(lián)電容、降低寫入延遲和能量消耗，從而明顯提升性能功耗比；而沉浸式平板印刷術(shù)，實(shí)際上就是在激光蝕刻頭的中間加入一種特殊的液體來修正光的折射，從而讓其在晶圓上更好的刻錄晶體管。用這種工藝設(shè)計(jì)生產(chǎn)的SRAM芯片可獲得大約15％的性能提升。真正解決AMD在 45納米技術(shù)難題的是多重增強(qiáng)晶體管應(yīng)變技術(shù)，AMD和IBM稱，與非應(yīng)變技術(shù)相比，這一新技術(shù)能將P溝道晶體管的驅(qū)動(dòng)電流提高80％，將N溝道晶體管的驅(qū)動(dòng)電流提高24％。

    對于超頻而言，一款優(yōu)秀的主板和內(nèi)存是必不可少的，在AMD超頻大賽上使用Phenom II X4 940橫掃千軍的speedtime凱旋歸來后，將目光投向了目前備受關(guān)注的Phenom II X3 720。

    工欲善其事，必先利其器。此次speedtime為Phenom II X3 720尋求極限頻率，選用了技嘉專為phenom II供電特殊優(yōu)化的790FX-UD5，而內(nèi)存選擇了頻率堪比DDR3的優(yōu)品DDR2內(nèi)存海盜船1250MHz。

    經(jīng)過筆者了解，speedtime此次并未篩選CPU，原因是在液氮制冷下，Phenom II的頻率表現(xiàn)都差不多，反倒是主板和內(nèi)存需要仔細(xì)調(diào)教。最終選擇了UD5和corsair dominator。

    雖然我們不能長久使用液氮，將6GHz的頻率長期使用，但從中我們還是可以看到，45nm工藝下，Phenom II的頻率表現(xiàn)較Phenom好上不少，且普遍體質(zhì)不錯(cuò)，即使是風(fēng)冷情況下，也能超頻到3.8GHz使用，且有一定概率“破解”使用，這樣的話，Phenom II X3 720大量上市之時(shí)，定將掀起一輪新的“barton”旋風(fēng)！