雙封裝方式 三星最新DDR內(nèi)存容量已

　　日前，三星電子正式發(fā)布容量達(dá)到8GB的DDR內(nèi)存，它使用了.10微米的1Gbit顆粒。該內(nèi)存主要為高性能工作站、服務(wù)器以及其他專用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

　　這款8GB DDR內(nèi)存可以使用dual-stacked 1Gbit DDR SDRAM TSOP封裝，或者使用quad-stack 1Gbit DDR SDRAM FBGA封裝，因此該內(nèi)存PCB上可能使用到36個(gè)TSOP或者18個(gè)FBGA封裝顆粒 。

　　目前三星已經(jīng)開始向服務(wù)器商提供這款8GB DDR內(nèi)存的樣品。