雙封裝方式 三星最新DDR內(nèi)存容量已
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日前,三星電子正式發(fā)布容量達(dá)到8GB的DDR內(nèi)存,它使用了.10微米的1Gbit顆粒。該內(nèi)存主要為高性能工作站、服務(wù)器以及其他專用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

這款8GB DDR內(nèi)存可以使用dual-stacked 1Gbit DDR SDRAM TSOP封裝,或者使用quad-stack 1Gbit DDR SDRAM FBGA封裝,因此該內(nèi)存PCB上可能使用到36個(gè)TSOP或者18個(gè)FBGA封裝顆粒 。
目前三星已經(jīng)開始向服務(wù)器商提供這款8GB DDR內(nèi)存的樣品。
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