英偉達12nm游戲顯卡明年三月登場！首用GDDR6顯存

    英偉達的 12nm 核心 Volta 架構(gòu)計算卡 Tesla V100 在三個月前就已發(fā)布，然而新制程新架構(gòu)的 Volta 游戲卡還再醞釀中。

    雖然 Nvidia CEO 黃仁勛此前在 Q2 財報會議中稱 12nm 的 Tesla V100 產(chǎn)能很低，成本太高，但臺積電表示，12nm FinFET 將在今年底大規(guī)模投產(chǎn)，這意味著 12nm Volta 架構(gòu)的游戲顯卡馬上就要來了。

    另一方面，美光和海力士都計劃在 2018 年初量產(chǎn) GDDR6 顯存，美光也宣布會與 NVIDIA 聯(lián)合首發(fā) GDDR6 顯卡。

    GDDR6 內(nèi)存電壓從 1.5V 降至 1.35V，帶寬則從單引腳 8Gbps 和 G5X 12Gbps 提升到最高 16Gbps，意味著顯卡速度的成倍增長。GDDR6 顯存容量最高可到 48GB 384-bit。

    據(jù) KG 透露，12nm 制程加上 GDDR6 的 Volta 架構(gòu)游戲顯卡將在明年三月發(fā)布，全新的顯卡對 Vega 相信會是巨大的沖擊。

本文編輯：湯子恒

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