買(mǎi)料還是買(mǎi)質(zhì)量？主板技術(shù)趨勢(shì)大剖析

    泡泡網(wǎng)主板頻道11月5日 自從DIY這個(gè)詞發(fā)明以來(lái)，主板這個(gè)作為電腦中完全不可替代的部分，已經(jīng)成為了所有電腦配件當(dāng)中集合技術(shù)含量最高、最多的產(chǎn)品，同時(shí)也是決定了您的電腦能否穩(wěn)定工作的局定性因素。

Intel的第一款微處理器已經(jīng)38歲了，這意味著主板這個(gè)概念也已經(jīng)誕生了38年

    從1971年Intel發(fā)布的第一顆可編程微處理器“4004”到現(xiàn)在最新的Core i7處理器已經(jīng)度過(guò)了38年頭了，不論您選擇怎樣的處理器或是顯卡，都需要有一塊好的主板來(lái)配合它們穩(wěn)定的工作。而目前市場(chǎng)上充斥著高、中、低檔各式各樣種類繁多的主板產(chǎn)品，我們?nèi)绾蝸?lái)選購(gòu)？本文將從實(shí)用和技術(shù)的角度來(lái)為大家分析上述這些問(wèn)題。

    現(xiàn)在買(mǎi)主板應(yīng)看重什么地方？

    由于各種鋪天蓋地的廣告和炒作等多方面因素，讓大多數(shù)用戶在這幾年對(duì)于選購(gòu)主板的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)生了誤區(qū)和偏差。有的廠商炒作自己的用料又多又好，有的廠商宣傳自己技術(shù)高、功能多，這樣的宣傳多少都會(huì)干擾用戶在選購(gòu)上的思路。

  

  

設(shè)計(jì)優(yōu)秀、技術(shù)精良的主板產(chǎn)品

    優(yōu)質(zhì)的用料和好的技術(shù)的確會(huì)給用戶在使用過(guò)程中帶來(lái)好處，但夸張的堆料和過(guò)分強(qiáng)調(diào)技術(shù)的重要性又會(huì)模糊了產(chǎn)品本身的定位和價(jià)格。用料第一？技術(shù)認(rèn)可度高？買(mǎi)主板到底應(yīng)該看重什么地方？

    看用料？

    大數(shù)量級(jí)供電模塊，多如牛毛的電容顆粒，這些就是我們買(mǎi)主板的必須要看的條件么？其實(shí)不然，在能夠滿足穩(wěn)定運(yùn)行的前提下，用料的多寡只應(yīng)該是充分條件，而非必要條件。

    如何看待堆料

    首先我們不否定主板用好料的好處，也就是用好料會(huì)增加主板的穩(wěn)定性，提高整機(jī)的穩(wěn)定程度，提高超頻的成功幾率等等。但是不是用得越多越高級(jí)就代表主板越好呢？并不是這樣的吧？

固態(tài)電容幾乎成為了現(xiàn)在選購(gòu)主板的“必要”條件

    剛才我們說(shuō)了，用好料的確對(duì)主板的穩(wěn)定性會(huì)有幫助，但在達(dá)到了以穩(wěn)定性為前提的“上限”之后，繼續(xù)堆料還有意義么？

    舉個(gè)例子來(lái)說(shuō)：有兩塊主板，一塊是我們剛才所說(shuō)的“堆料”板，另一塊也是用好料，但這塊主板是以完全滿足穩(wěn)定使用而選取的用料，并不過(guò)多的堆料。現(xiàn)在這兩塊主板都通過(guò)了以穩(wěn)定為前提的殘酷測(cè)試考驗(yàn)，在不考慮價(jià)格的情況下我相信更多的人會(huì)選擇“堆料”的那一塊主板，而當(dāng)加入了價(jià)格因素作為考量以后，不堆料的那塊產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)也就顯現(xiàn)出來(lái)了。

    簡(jiǎn)而言之，就是在滿足了穩(wěn)定性“上限”——就是理論上100%穩(wěn)定的前提下，堆料和不堆料是沒(méi)有區(qū)別的。堆料的代價(jià)即是整板成本的提高，當(dāng)堆料的產(chǎn)品和不堆料的產(chǎn)品的價(jià)差只有50元的時(shí)候，用戶可能不會(huì)覺(jué)得有什么區(qū)別，當(dāng)差價(jià)擴(kuò)大到100元以上呢？200元呢？500元呢？您還可以無(wú)視這個(gè)價(jià)差么？我們并不是說(shuō)這些料無(wú)用，但是，看著您花大價(jià)錢(qián)買(mǎi)到手的主板只是比其他也可以穩(wěn)定運(yùn)行的主板多一些“沒(méi)有那么有用”的料的時(shí)候，您不覺(jué)得虧得慌么？所以在如何看待堆料這個(gè)問(wèn)題上，我們覺(jué)得主板用料“少了”不行，“多了”也不好。

    看技術(shù)？

    在某些產(chǎn)品高喊著“xx相”供電殺進(jìn)電子市場(chǎng)的情況下，會(huì)對(duì)一般用戶造成一種“供電相數(shù)越多，給CPU提供的電流越大，所以供電相數(shù)越多越好”的錯(cuò)覺(jué)，其實(shí)事實(shí)上并不是這樣。下面我們從技術(shù)的角度來(lái)為大家解釋一下這個(gè)問(wèn)題。

    供電相數(shù)之爭(zhēng)

    1、供電相數(shù)與采用的供電元件相關(guān)

    處理器廠商廠商在設(shè)計(jì)處理器時(shí)要設(shè)計(jì)它的功耗，而且要制定一系列的規(guī)則標(biāo)準(zhǔn)。比如Intel LGA775的處理器，以前有4種版本，分別是04A版需要78A電流，04B版119A電流，05A版100A電流，05B版125A電流。由于目前節(jié)能減排成為環(huán)保的首要目標(biāo)，Intel在酷睿2時(shí)代增加了06版供電標(biāo)準(zhǔn)，供電所需電流降低到了75A，目前45納米的CPU基本上都是06版供電標(biāo)準(zhǔn)的。主板廠商設(shè)計(jì)主板的處理器供電電路時(shí)要依據(jù)處理器的供電標(biāo)準(zhǔn)，如果主板要支持到05B版的CPU，供電電路必須提供大于125A的電流，同時(shí)如果考慮到超頻，也可以提高到150A的電流。150A的供電電流，可以用4相，也可以用5相、6相，前提是只要能安全提供150A的電流就可以。

    多相式供電的原理是各相供電電路按一定的時(shí)序輪流工作的，假設(shè)我們現(xiàn)在使用四相供電，在整個(gè)供電電路工作的一秒鐘內(nèi)，每一相是輪流工作1/4秒，休息3/4秒。而供電相數(shù)的多少就像800米賽跑，可以一個(gè)人跑完全程，也可以2個(gè)人、4個(gè)人、8個(gè)人接力跑完全程。對(duì)于運(yùn)動(dòng)員來(lái)說(shuō)接力的人多，每個(gè)人跑的距離短，越節(jié)省體力。供電相數(shù)多少與接力跑相似，供電相數(shù)相對(duì)較多的情況下，場(chǎng)效應(yīng)管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，以下簡(jiǎn)稱MOSFET）工作時(shí)間越短，負(fù)荷越輕，發(fā)熱量就越少。主板廠商在設(shè)計(jì)處理器供電的時(shí)候如果需要相數(shù)較多，可以采用開(kāi)關(guān)頻率低和輸出功率低的MOSFET，并配合電感量較大的電感。供電相數(shù)相對(duì)少的，就要采用開(kāi)關(guān)頻率高和輸出功率大的MOSFET，并配合電感量較小的電感。

    所以在提供相同的額定電流要求下，供電相數(shù)多少往往與設(shè)計(jì)時(shí)選用的PWM芯片、MOSFET、電感等元件有關(guān)。

    2、下端MOSFET采用2管并聯(lián)提高1相的供電能力

    一般情況下，一組MOSFET分上下兩端，上端MOSEFT是導(dǎo)通12V給電感存儲(chǔ)磁能的，導(dǎo)通時(shí)間較短，負(fù)荷較小，一般采用1顆；而下端MOSEFT是導(dǎo)通電感釋放電能的，導(dǎo)通時(shí)間較長(zhǎng)，負(fù)荷較大，1顆MOSFET難以勝任，多采用2顆并聯(lián)，提高輸出電流。比如導(dǎo)通電流50A的，雙MOSFET就可以提供100A的電流。所以可通過(guò)提高1相供電能力來(lái)減少供電相數(shù)。

    3、供電電路在功率滿足的情況下更求穩(wěn)定

    供電電路的實(shí)際設(shè)計(jì)還要考慮更多的因素，如元件的電能轉(zhuǎn)換效率、系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性等等。相數(shù)、元件較多的供電電路并不一定比設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔出色的供電電路更穩(wěn)定。

①．在當(dāng)前提倡節(jié)能減排的時(shí)代，供電電路的轉(zhuǎn)換效率尤為突出，如果轉(zhuǎn)換效率不是很高，那么相數(shù)較多的設(shè)計(jì)其實(shí)際供電能力未必會(huì)好過(guò)相數(shù)較少轉(zhuǎn)換效率高的設(shè)計(jì)，還會(huì)浪費(fèi)電能；

②．供電元件如果太多，例如在CPU附近的周圍有一大堆電感，會(huì)阻礙空氣流通，影響MOSEFT散熱，導(dǎo)致MOSEFT效率下降；

③．相數(shù)太多的設(shè)計(jì)使布線復(fù)雜化，越復(fù)雜越容易出毛病，如果解決不好會(huì)帶來(lái)串?dāng)_效應(yīng)（Cross talk），影響主板在極端情況下的穩(wěn)定性；

④．供電元件都有一個(gè)可靠性，系統(tǒng)總體可靠性則是所有元件可靠性的乘積，元件越多則可靠性越低。

    以上3條說(shuō)明，并不是相數(shù)越多好，相數(shù)太多、元件太多可能會(huì)帶來(lái)其他問(wèn)題。至少會(huì)白白浪費(fèi)其供電能力，增加成本，增加用戶負(fù)擔(dān)。

    正應(yīng)了那句老話——羊毛出在羊身上，無(wú)論是夸張的堆料還是過(guò)分的強(qiáng)調(diào)技術(shù)，到最后買(mǎi)單的還是作為最終受眾的用戶。所以從實(shí)用角度來(lái)考慮的話，我們的口號(hào)是——寧省一分錢(qián)，不買(mǎi)半年閑！

    微星獨(dú)特技術(shù)之DrMOS

    微星科技近幾年在主板的研發(fā)方面推出了多項(xiàng)獨(dú)特的技術(shù)及設(shè)計(jì)，之前我們的介紹也只局限于宣傳資料上的文字，而今天我們將比較詳細(xì)的向大家介紹一下目前微星科技在主板的設(shè)計(jì)及用料方面有哪些獨(dú)特之處。

    首先就是微星目前的當(dāng)家技術(shù)——DrMOS。

    在討論DrMOS之前，我們先要簡(jiǎn)單介紹一下剛才討論過(guò)的一個(gè)名詞——場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET就是起到“開(kāi)關(guān)”的作用。它可不是一般的開(kāi)關(guān)，一秒鐘開(kāi)關(guān)頻率要高達(dá)一萬(wàn)次！所以我們要看看MOSFET是如何進(jìn)行開(kāi)關(guān)的。

MOSFET——場(chǎng)效應(yīng)管

    MOSFET的全稱是：金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英文全稱是：Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor。MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度極快、內(nèi)阻小、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電流小（0.1μA左右）、熱穩(wěn)定性好、工作電流大、能夠進(jìn)行簡(jiǎn)單并聯(lián)等特點(diǎn)，非常適合作為開(kāi)關(guān)管使用。

    主板經(jīng)常采用的MOSEFT基本上有二大類：分立MOSEFT和整合MOSEFT。分立MOSEFT有二種封裝：D型封裝的，POWER型封裝的。整合MOSEFT的代表則是DrMOS。

    分立式MOSFET：

分立式MOSFET的兩種封裝形式、實(shí)物以及結(jié)構(gòu)圖

    MOSFET管有三個(gè)電極，分別為源極（S）和柵極（G）；中間的為漏極（D），柵極是控制極，給柵極（G）高電位，MOSFET導(dǎo)通（開(kāi)），低電位關(guān)閉（關(guān)）。

    MOSEFT的主要參數(shù)有三個(gè)：漏極（D）和源極（S）的最大電壓，漏極（D）和源極（S）的最大導(dǎo)通電阻，漏極可通過(guò)的最大電流。這三個(gè)參數(shù)都是在最大電壓下的最大值，當(dāng)電壓降低，以及溫度偏高時(shí)，導(dǎo)通電流會(huì)減小。

    單MOSEFT一般采用一進(jìn)二出結(jié)構(gòu)，還要配驅(qū)動(dòng)芯片，組成的供電電路稱之為分立式電路，優(yōu)點(diǎn)是成本相對(duì)偏低，缺點(diǎn)是電能轉(zhuǎn)換效率低，費(fèi)電。

    整合式DrMOS：

    Intel與2004年發(fā)布PC平臺(tái)的DrMOS規(guī)范，2005年DrMOS問(wèn)世，目前已經(jīng)有十幾家Power芯片廠商研發(fā)生產(chǎn)。

Intel DrMOS規(guī)范規(guī)定的DrMOS信號(hào)和芯片引腳

瑞薩科技研發(fā)的第二代DrMOS芯片R2J20602原理圖

RJ20602的外形圖

    DrMOS除了體積小安裝小（分離式MOSFET的四分之一）以外，在轉(zhuǎn)換效率、熱功耗、工作頻率以及寄生電感等方面都優(yōu)于分立式供電設(shè)計(jì)。

    首先DrMOS由于把驅(qū)動(dòng)IC和MOSEFT集成在一個(gè)芯片內(nèi)，一體化設(shè)計(jì)，使驅(qū)動(dòng)IC和MOSEFT更協(xié)調(diào)，經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)優(yōu)化，DrMOS可以工作在更高的頻率。電流轉(zhuǎn)換效率有很大提高。第2代DrMOS是目前市場(chǎng)上轉(zhuǎn)換效率最高的MOSEFT。

    其次，DrMOS的熱功耗很小，發(fā)熱量很低。在同等條件下，溫度要比分立式低40多度。

左圖為分立式MOSFET工作溫度，右圖為DrMOS工作溫度，兩者相差近40攝氏度。

    接著，DrMOS比普通MOSFET的尖峰噪聲低，輸出電壓更穩(wěn)定。

左圖為分立式MOSFET的尖峰電壓，右圖為DrMOS的尖峰電壓，兩者相差接近8V

    最后，DrMOS比普通MOSFET的瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間短，響應(yīng)CPU動(dòng)態(tài)負(fù)載快，電流變化速度快。

DrMOS的瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間要遠(yuǎn)小于分立式MOSFET

    其實(shí)DrMOS的好處也不是一句話兩句話幾張圖能夠讓大家明白的，具體還是要在日常的使用過(guò)程中體現(xiàn)。接下來(lái)我們來(lái)看看微星主板目前所采用的另一項(xiàng)頂尖技術(shù)——Hi-C電容。

    Hi-C電容——高導(dǎo)電聚合物電容

    Hi-C電容的英文全稱是Highly-conductive polymerized Capacitor，中文叫做高導(dǎo)電聚合物電容。從上圖看到是塑封帖片式的，看上去有點(diǎn)像鉭電解電容，但實(shí)際并不相同。這種電容的陽(yáng)極是燒結(jié)鉭（或鋁箔），陽(yáng)極介質(zhì)是氧化鉭（或氧化鋁），而陰極（電解質(zhì)）是固態(tài)的、高導(dǎo)電聚合物。正由于電解質(zhì)是高導(dǎo)電聚合物，使得它尺寸小而電容量大、ESR極低的特點(diǎn)。

    從上面的ESR值列表可以看出現(xiàn)在用于CPU供電電路最好的電容是Hi-C電容。普通液態(tài)電解電容的ESR在20毫歐以上，固態(tài)電容的ESR是5毫歐。Hi-C電容的ESR小于5毫歐。所以Hi-C電容優(yōu)于固態(tài)電容。

    Hi-C電容的第二個(gè)優(yōu)點(diǎn)是在有浪涌電流通過(guò)時(shí)，具有自恢復(fù)的功能，因此功率損耗非常低。

    同樣的，在討論Hi-C電容之前，我們先來(lái)簡(jiǎn)述一下供電電路中電容的主要作用以及ESR——等效串聯(lián)電阻的概念。

    供電電路中電容的主要作用

    CPU供電電路的電容除了濾波作用外，更重要的是滿足CPU對(duì)瞬態(tài)電流變化的需求。CPU工作是動(dòng)態(tài)變化的，空閑時(shí)處于低功耗狀態(tài)，需要的電流在5A左右，負(fù)荷增大時(shí)，可能需要60-150A（視CPU的型號(hào)而不同）。這時(shí)CPU要求供電電路在幾微秒內(nèi)就要提供大電流。PWM供電模式達(dá)不到這個(gè)響應(yīng)速度，電容可以達(dá)到。所以，CPU供電電路需要大容量的電容。一般都要數(shù)千微法的電容，而且是若干個(gè)電容并聯(lián)。

目前被廣泛使用的固態(tài)電容產(chǎn)品

固態(tài)電容內(nèi)部示意圖

    目前主板采用的電容基本都是固態(tài)電容，有些主板由于市場(chǎng)定位的原因至少CPU供電部分會(huì)采用固態(tài)電容。

    ESR——等效串聯(lián)電阻

    等效串聯(lián)電阻的英文全稱是Equivalent Series Resistance，縮寫(xiě)為ESR。理想的電容自身不會(huì)有電阻，但實(shí)際上制造電容的材料有電阻。從外部看，這個(gè)電阻跟電容串聯(lián)在一起，所以就稱為“等效串聯(lián)電阻”。

    ESR的損耗與通過(guò)的電流成正比，電流越大，損耗就越大。比如兩顆功率都是70W的CPU，前者電壓是3.3V，后者電壓是1.8V。那么前者的電流是I=P/U=70W/3.3V=21.2A，后者的電流是I=P/U=70W/1.8V=38.9A。后者將近是前者的兩倍。在ESR相同的情況下，后者的損耗就是前者的兩倍。所以降低損耗就必須用ESR更低的電容。

    ESR的危害不僅僅是損耗，更重要的是“紋波電壓”。沒(méi)有任何波動(dòng)的直流電壓應(yīng)該是一條水平直線，當(dāng)有電壓波動(dòng)時(shí)，電壓就變成波浪形，電壓水平線上的波峰和波谷就是波紋電壓。ESR值與紋波電壓的關(guān)系可以用公式V=R（ESR）×I表示。公式中的V是紋波電壓，R是電容的ESR，I是電流。從公式可以看到，當(dāng)電流增大的時(shí)候，即使在ESR保持不變的情況下，紋波電壓也會(huì)成倍提高，因此降低波紋電壓就必須采用ESR值更低的電容。

    紋波電壓的危害是導(dǎo)致CPU工作不穩(wěn)定，容易出現(xiàn)判斷“0”和“1”失誤而死機(jī)。波紋電壓對(duì)CPU的影響與CPU的工作電壓相關(guān)。比如0.2V的紋波電壓對(duì)于3.3V的CPU而言，0.2V紋波電壓所占比例較小，不足以形成很大的影響，但是對(duì)于1.8V的CPU來(lái)說(shuō)，所占的比例就足以造成CPU運(yùn)算失誤。所以，現(xiàn)在的CPU供電電路都采用低ESR的電容。

    接下來(lái)就是微星目前在其P55系列主板產(chǎn)品上廣泛應(yīng)用的散熱技術(shù)——SuperPipe超級(jí)熱管。

    SuperPipe——超級(jí)熱管

    超級(jí)熱管是一種更為合理與為優(yōu)秀的熱管散熱理念，這種理念秉持著更好的散熱材料，更好的散熱設(shè)計(jì)，更好的周邊配合才能帶來(lái)更好的散熱效果。

    

   

在微星P55-GD80以及P55-GD65主板上都可以看到這種散熱設(shè)計(jì)

    超級(jí)熱管會(huì)針對(duì)不同產(chǎn)品的需要以不同的形勢(shì)出現(xiàn)，以微星P55-GD80為例，這款產(chǎn)品上的超級(jí)熱管采用了采用了8mm直徑的全銅散熱導(dǎo)管，與市面上大部分的產(chǎn)品只有6mm的規(guī)格相較而言，8mm設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)自然不言而喻。與傳統(tǒng)的熱導(dǎo)管相比微星的超熱導(dǎo)在直徑上要大出6mm產(chǎn)品60%,散熱效果也要高出90%。

    藍(lán)光音效與Power eSATA

    說(shuō)到獨(dú)特技術(shù)也就不得不提一下目前在其他主板上還比較少見(jiàn)的藍(lán)光音效技術(shù)和Power eSATA技術(shù)。

    藍(lán)光音效——源于瑞昱科技的ALC889音效芯片

    目前微星在其市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品均采用載ALC 889優(yōu)異音頻芯片，這是目前Realtek所出品的最優(yōu)異的板載音頻芯片，也是市場(chǎng)上僅有的可以通過(guò)內(nèi)容保護(hù)技術(shù)來(lái)支持藍(lán)光高清機(jī)全速率播放的音頻編碼解碼芯片之一。它提供了高音質(zhì)的音效(DAC 108dB SNR, ADC 104dB SNR)，其數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換具有卓越的多聲道能力，提供支持多組音效輸出，能夠在欣賞電影、線上游戲背景音效的同時(shí)享受7.1環(huán)場(chǎng)聲道以及兩聲道的網(wǎng)絡(luò)電話，為家庭娛樂(lè)的個(gè)人電腦提供了一個(gè)理想的選擇。

    Power eSATA接口——持續(xù)供電不間斷

    在存儲(chǔ)接口中，eSATA雖然使用方便、速度飛快，但需要輔助供電是其致命傷，這也直接造成eSATA遠(yuǎn)沒(méi)有USB 2.0、IEEE 1394那樣普及。

    Power eSATA功能則是針對(duì)eSATA規(guī)范原本缺乏供電能力的缺點(diǎn)改良而來(lái)，只要耗電量不大的eSATA裝置，都不必連接額外電源線即可使用，保留原本eSATA之高傳輸性能的同時(shí)，便利性亦大為增加。

    其實(shí)早在2008年初，SATA-IO組織就著手開(kāi)始制定新的“Power over eSATA”規(guī)范，即使用同一條線纜傳輸數(shù)據(jù)和供電。簡(jiǎn)單地說(shuō)，Power eSATA相當(dāng)于eSATA與USB 2.0的綜合體，集前者3Gbps的傳輸速度與后者的可直接供電特性于一身。

   

  

    微星早在之前AMD平臺(tái)的旗艦產(chǎn)品——790FX-GD70上就是用了這種新一代接口，同時(shí)也在后期的P55系列產(chǎn)品上延續(xù)采用了這種接口。

    以實(shí)用為主要目的 帶給用戶最實(shí)惠的產(chǎn)品

    在業(yè)內(nèi)盛行“堆料”的大潮下，作為最終受眾的用戶應(yīng)該抱著理性消費(fèi)的觀念來(lái)選購(gòu)產(chǎn)品，我想相比買(mǎi)到手里的“無(wú)用價(jià)值”，更多的人還是會(huì)選擇更實(shí)在的技術(shù)和更樸實(shí)的用料，畢竟這些是與我們的荷包息息相關(guān)的。

    其實(shí)微星這種不再跟風(fēng)堆料而是改變方向朝著用戶的最終使用感受努力的方向是值得很多主板廠商學(xué)習(xí)的。盲目的技術(shù)攀比和口水仗并不會(huì)給用戶帶來(lái)什么實(shí)質(zhì)性的好處，脫離了用戶的技術(shù)對(duì)于用戶來(lái)講又有什么意義呢？扎實(shí)的站穩(wěn)腳跟，以堅(jiān)實(shí)的步伐一步一步的朝前邁進(jìn)，這才是一種務(wù)實(shí)的態(tài)度。同時(shí)以強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力帶給用戶實(shí)惠的產(chǎn)品和實(shí)用的技術(shù)，這才是用戶需要的。

    展望未來(lái)，32nm處理器、Intel H55/H57、AMD RD890+SB800、SATA 6Gbps、USB 3.0這些在短期之內(nèi)都會(huì)出現(xiàn)，目前雖然有一些技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)了試用型產(chǎn)品，但由于各種條件的限制，并不能帶給我們最好的性能和使用感受。面對(duì)這種情況，我們要做的就是等待，等待產(chǎn)品趨于成熟的時(shí)刻來(lái)臨。請(qǐng)各位讀者放心，這個(gè)時(shí)間即便是用即將被改寫(xiě)的摩爾定律來(lái)計(jì)算，也用不了多久。■<