擁有二代基因 微星P55-GD85多圖賞析!

    泡泡網主板頻道1月15日 我們之前曾對華碩、技嘉以及衛星的三款二代P55主板產品進行過橫向對比，華碩和技嘉的產品都已經早早的就上市了，而之前對于USB 3.0和SATA 6Gbps一直保持保守態度的微星，在年末的時候也推出了自家支持U3S6的產品，同時也是之前微星P55系列主板旗艦級產品的升級版——P55-GD85。

    今天這款產品抵達了評測室，讓我們先來看看微星的二代P55與前代相比有何不同吧。

■ P55-GD85規格速讀：

■ P55-GD80的升級版——P55-GD85

    這款產品其實在板型和走線上與之前的GD80沒有什么特別明顯的區別，只是在布局方面比GD80多出了兩三顆大型芯片。

處理器供電部分，8+2相式供電+DrMOS的結合

內存插槽部分，可通過超頻支持DDR3-2600，最高支持到16GB

  

供電相數指示燈，8相處理器+2相VTT

之前的V-Kit，現在已經跟更名為V-Check Points

存儲部分，完整支持SATA 6Gbps并通過JMB363支持一個IDE通道

I/O方面與GD80布局一樣，只是最后一組USB變成了3.0接口而已。

■ 通過PLX橋接方案支持U3S6

    接下來我們來看一下板載芯片部分。

首先就是PLX-PEX8608橋接芯片，USB 3.0和SATA 6Gbps的支持都離不開它

目前主板類產品USB 3.0唯一解決方案——NEC D720200F1芯片

支持藍光音效的瑞昱ALC889音頻芯片

威盛VT6315N火線芯片

兩顆瑞昱RTL8111DL千兆網絡芯片

實現一秒超頻的OC Genie芯片

支持VRM11.1的uP6218AM PWM芯片

    白色的就是SATA 6Gbps接口，同時我們也可以看到之前的Direct OC按鈕也由按鈕變成了觸摸式按鍵。

    微星獨特技術之DrMOS

    微星科技近幾年在主板的研發方面推出了多項獨特的技術及設計，之前我們的介紹也只局限于宣傳資料上的文字，而今天我們將比較詳細的向大家介紹一下目前微星科技在主板的設計及用料方面有哪些獨特之處。

    首先就是微星目前的當家技術——DrMOS。

    在討論DrMOS之前，我們先要簡單介紹一下剛才討論過的一個名詞——場效應管。場效應管MOSFET就是起到“開關”的作用。它可不是一般的開關，一秒鐘開關頻率要高達一萬次！所以我們要看看MOSFET是如何進行開關的。

MOSFET——場效應管

    MOSFET的全稱是：金屬氧化物半導體場效應晶體管，英文全稱是：Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor。MOSFET具有開關速度極快、內阻小、輸入阻抗高、驅動電流小（0.1μA左右）、熱穩定性好、工作電流大、能夠進行簡單并聯等特點，非常適合作為開關管使用。

    主板經常采用的MOSEFT基本上有二大類：分立MOSEFT和整合MOSEFT。分立MOSEFT有二種封裝：D型封裝的，POWER型封裝的。整合MOSEFT的代表則是DrMOS。

    分立式MOSFET：

分立式MOSFET的兩種封裝形式、實物以及結構圖

    MOSFET管有三個電極，分別為源極（S）和柵極（G）；中間的為漏極（D），柵極是控制極，給柵極（G）高電位，MOSFET導通（開），低電位關閉（關）。

    MOSEFT的主要參數有三個：漏極（D）和源極（S）的最大電壓，漏極（D）和源極（S）的最大導通電阻，漏極可通過的最大電流。這三個參數都是在最大電壓下的最大值，當電壓降低，以及溫度偏高時，導通電流會減小。

    單MOSEFT一般采用一進二出結構，還要配驅動芯片，組成的供電電路稱之為分立式電路，優點是成本相對偏低，缺點是電能轉換效率低，費電。

    整合式DrMOS：

    Intel與2004年發布PC平臺的DrMOS規范，2005年DrMOS問世，目前已經有十幾家Power芯片廠商研發生產。

Intel DrMOS規范規定的DrMOS信號和芯片引腳

瑞薩科技研發的第二代DrMOS芯片R2J20602原理圖

RJ20602的外形圖

    DrMOS除了體積小安裝小（分離式MOSFET的四分之一）以外，在轉換效率、熱功耗、工作頻率以及寄生電感等方面都優于分立式供電設計。

    首先DrMOS由于把驅動IC和MOSEFT集成在一個芯片內，一體化設計，使驅動IC和MOSEFT更協調，經過設計優化，DrMOS可以工作在更高的頻率。電流轉換效率有很大提高。第2代DrMOS是目前市場上轉換效率最高的MOSEFT。

    其次，DrMOS的熱功耗很小，發熱量很低。在同等條件下，溫度要比分立式低40多度。

左圖為分立式MOSFET工作溫度，右圖為DrMOS工作溫度，兩者相差近40攝氏度。

    接著，DrMOS比普通MOSFET的尖峰噪聲低，輸出電壓更穩定。

左圖為分立式MOSFET的尖峰電壓，右圖為DrMOS的尖峰電壓，兩者相差接近8V

    最后，DrMOS比普通MOSFET的瞬態響應時間短，響應CPU動態負載快，電流變化速度快。

DrMOS的瞬態響應時間要遠小于分立式MOSFET

    其實DrMOS的好處也不是一句話兩句話幾張圖能夠讓大家明白的，具體還是要在日常的使用過程中體現。接下來我們來看看微星主板目前所采用的另一項頂尖技術——Hi-C電容。

    Hi-C電容——高導電聚合物電容

    Hi-C電容的英文全稱是Highly-conductive polymerized Capacitor，中文叫做高導電聚合物電容。從上圖看到是塑封帖片式的，看上去有點像鉭電解電容，但實際并不相同。這種電容的陽極是燒結鉭（或鋁箔），陽極介質是氧化鉭（或氧化鋁），而陰極（電解質）是固態的、高導電聚合物。正由于電解質是高導電聚合物，使得它尺寸小而電容量大、ESR極低的特點。

    從上面的ESR值列表可以看出現在用于CPU供電電路最好的電容是Hi-C電容。普通液態電解電容的ESR在20毫歐以上，固態電容的ESR是5毫歐。Hi-C電容的ESR小于5毫歐。所以Hi-C電容優于固態電容。

    Hi-C電容的第二個優點是在有浪涌電流通過時，具有自恢復的功能，因此功率損耗非常低。

    接下來就是微星目前在其P55系列主板產品上廣泛應用的散熱技術——SuperPipe超級熱管。

    SuperPipe——超級熱管

    超級熱管是一種更為合理與為優秀的熱管散熱理念，這種理念秉持著更好的散熱材料，更好的散熱設計，更好的周邊配合才能帶來更好的散熱效果。

    

   

在微星P55-GD80以及P55-GD65主板上都可以看到這種散熱設計

    超級熱管會針對不同產品的需要以不同的形勢出現，以微星P55-GD80為例，這款產品上的超級熱管采用了采用了8mm直徑的全銅散熱導管，與市面上大部分的產品只有6mm的規格相較而言，8mm設計優勢自然不言而喻。與傳統的熱導管相比微星的超熱導在直徑上要大出6mm產品60%,散熱效果也要高出90%。

    藍光音效與Power eSATA

    說到獨特技術也就不得不提一下目前在其他主板上還比較少見的藍光音效技術和Power eSATA技術。

    藍光音效——源于瑞昱科技的ALC889音效芯片

    目前微星在其市場上的主流產品均采用載ALC 889優異音頻芯片，這是目前Realtek所出品的最優異的板載音頻芯片，也是市場上僅有的可以通過內容保護技術來支持藍光高清機全速率播放的音頻編碼解碼芯片之一。它提供了高音質的音效(DAC 108dB SNR, ADC 104dB SNR)，其數字模擬轉換具有卓越的多聲道能力，提供支持多組音效輸出，能夠在欣賞電影、線上游戲背景音效的同時享受7.1環場聲道以及兩聲道的網絡電話，為家庭娛樂的個人電腦提供了一個理想的選擇。

    Power eSATA接口——持續供電不間斷

    在存儲接口中，eSATA雖然使用方便、速度飛快，但需要輔助供電是其致命傷，這也直接造成eSATA遠沒有USB 2.0、IEEE 1394那樣普及。

    Power eSATA功能則是針對eSATA規范原本缺乏供電能力的缺點改良而來，只要耗電量不大的eSATA裝置，都不必連接額外電源線即可使用，保留原本eSATA之高傳輸性能的同時，便利性亦大為增加。

    其實早在2008年初，SATA-IO組織就著手開始制定新的“Power over eSATA”規范，即使用同一條線纜傳輸數據和供電。簡單地說，Power eSATA相當于eSATA與USB 2.0的綜合體，集前者3Gbps的傳輸速度與后者的可直接供電特性于一身。

   

  

    微星早在之前AMD平臺的旗艦產品——790FX-GD70上就是用了這種新一代接口，同時也在后期的P55系列產品上延續采用了這種接口。

    OK，目前這款主板的具體表現我們將在近期的P55橫評中為大家進行展示，各位敬請期待咯。■<