超越CMOS，英特爾探索邏輯器件的未來

　　12月3日，《自然》雜志發(fā)表了一篇有關下一代邏輯器件的研究論文，作者包括英特爾、加州大學伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實驗室的研究人員。這篇論文描述了一種由英特爾發(fā)明的磁電自旋軌道(MESO)邏輯器件。相較于目前的互補金屬氧化物半導體(CMOS)，MESO器件結合超低休眠狀態(tài)功率，有望把電壓降低5倍、能耗降低10-30倍。在探求不斷微縮CMOS的同時，英特爾一直在研究超越CMOS時代的未來十年即將出現(xiàn)的計算邏輯選項，推動計算能效提升，并跨越不同的計算架構促進性能增長。

　　英特爾資深院士兼技術與制造事業(yè)部探索性集成電路組總監(jiān)Ian Young表示，“我們正在研究超越CMOS時代的計算方案，尋求革命性而不是演進性的突破。MESO以低壓互連和低壓磁電為基礎，將量子材料創(chuàng)新與計算結合在一起。我們對已經(jīng)取得的進展感到非常興奮，并期待著發(fā)揮其潛力，未來做出進一步降低翻轉(zhuǎn)電壓的演示。”

　　英特爾研究人員發(fā)明的MESO器件，考慮到了未來計算所需的關于存儲器、互連線和邏輯的要求。英特爾已經(jīng)做出了該MESO器件的原型，采用的是在室溫下呈現(xiàn)新興量子行為的量子材料，以及由Ramamoorthy Ramesh開發(fā)的磁電材料(Ramamoorthy Ramesh就任于加州大學伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實驗室)。MESO還利用了由Albert Fert描述的自旋軌道超導效應(Spin-orbit transduction effects，Albert Fert就任于法國國家科學研究院/泰雷茲集團聯(lián)合物理研究組)。

　　英特爾功能電子集成與制造科技中心主任、資深科學家Sasikanth Manipatruni表示：“MESO器件基于室溫量子材料開發(fā)。它展現(xiàn)了該技術的可能性，并有望在業(yè)界、學術界和各國家實驗室中引發(fā)新一輪創(chuàng)新。而這種新型計算器件和架構所需的許多關鍵材料和技術，還需要進行更多開發(fā)。”

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