日蝕繼任者出現(xiàn) 微星BigBang X58解析

    泡泡網(wǎng)主板頻道3月23日 作為微星Big Bang系列第三款產(chǎn)品，XPower的出現(xiàn)確實(shí)非常出乎我們的意料。我們?cè)疽詾橄乱豢頑ig Bang產(chǎn)品將會(huì)出現(xiàn)在AMD平臺(tái)上，沒想到仍然是Intel平臺(tái)，只不過芯片組換成了已經(jīng)接近“三歲”的X58芯片組。

■ 成為日蝕系列的延續(xù)與補(bǔ)足

    從XPower的各種配備和指標(biāo)來看，這款產(chǎn)品的推出不僅僅是為了填補(bǔ)Big Bang系列X58芯片組的空白，更多的是為了延續(xù)微星之前的X58——Eclipse和Eclipse Plus等產(chǎn)品的不足。

    Big Bang XPower基于X58+ICH10R芯片組，從做工來看，Big Bang XPower可謂極盡奢華之能事，使用16相DrMOS PWM，處理器供電部分使用的大量鉭電容相當(dāng)搶眼。

    XPower在NVIDIA的NF200芯片的支持下提供了六條PCI-E x16插槽，除支持多卡CrossFireX和SLI外還為專用PhysX物理卡以及其他設(shè)備預(yù)留了位置。

    內(nèi)存方面XPower與之前的X58產(chǎn)品一樣，六條內(nèi)存插槽最高支持到24GB的DDR3內(nèi)存。同時(shí)，XPower的內(nèi)存插槽也升級(jí)成了單側(cè)扣具的簡(jiǎn)便安裝方式，更加方便了玩家插拔內(nèi)存。

    支持USB 3.0和SATA 6GBps已經(jīng)成為了“富二代”主板的特征之一，XPower也不例外。主板通過橋接Marvell和NEC的解決方案來解決高速存儲(chǔ)的問題。

■ 第三代易超頻技術(shù)輔佐雙8Pin處理器供電

    成為微星Big Bang系列的產(chǎn)品就代表著擁有微星最尖端的技術(shù)，當(dāng)然，這也就意味著它相比同類產(chǎn)品要承載更多的使命。

Intel X58+ICH 10R的南北橋組合

OCGENIE——微星第三代易超頻技術(shù)

JMicron JMB362第三方磁盤芯片，提供多2個(gè)SATA 2接口

Fintek科技提供的I/O接口芯片

提供千兆網(wǎng)絡(luò)支持的Realtek RTL8111DL芯片

來自威盛的VT6315 1394芯片

主板搭載了NEC D720200F1控制器

    這里我們必須要對(duì)XPower這款產(chǎn)品的處理器供電多提一句：

    我們拆掉供電部分的散熱以后大家不難發(fā)現(xiàn)——XPower的處理器供電部分已經(jīng)由之前的單8Pin供電進(jìn)化成了雙8Pin供電，這也就代表綜合這張主板會(huì)為處理器提供更穩(wěn)定更持久的電流，搭配DrMOS等供電技術(shù)可以讓日常工作和超頻更加穩(wěn)定。

    之前購買了微星產(chǎn)品的朋友不要著急，為了滿足老用戶使用高速存儲(chǔ)設(shè)備的愿望，微星此次還推出了獨(dú)立的USB 3.0卡，只要插到主板的PCI-E x1插槽上就可以實(shí)現(xiàn)對(duì)USB 3.0設(shè)備的支持，非常的實(shí)在哦。

■ DrMOS——更趨近于未來供電發(fā)展方向

    與其他一些堆料的主板廠家不同，微星在主板用料上所采取的政策是實(shí)用主義。

    傳統(tǒng)的處理器供電中，由頂部的MOS管、底部MOS管和驅(qū)動(dòng)芯片所組成。因此，許多主板在MOS管上額外增加了散熱片，以降低其工作溫度。為了解決供電相熟越來越多而導(dǎo)致發(fā)熱越來越大的問題，微星將傳統(tǒng)MOSFET供電中分離的兩組MOS管和驅(qū)動(dòng)IC以更加先進(jìn)的制程整合在一片芯片中，它的加入能夠讓服務(wù)器在工作時(shí)更穩(wěn)定，更節(jié)能。

    三合一封裝的DrMOS面積是分離MOSFET的1/4，功率密度是分離MOSFET的3倍，增加了超電壓和超頻的潛力。應(yīng)用DrMOS的主板能擁有節(jié)能、高效能超頻、低溫等特色。

    在主板的CPU、芯片組以及內(nèi)存供電電路（DC-DC轉(zhuǎn)換電路）中，MOS管是大功率晶閘管，通過MOS管的電流有幾安培到幾十安培，主板節(jié)能首先就是從MOS管開始，用技術(shù)先進(jìn)的、功耗低的DrMOS芯片取代傳統(tǒng)的MOS管。

    MOS管就是一個(gè)“開關(guān)”，開關(guān)閉合時(shí)允許電流通過，斷開時(shí)切斷電流。閉合時(shí)由于內(nèi)部電阻，通過的電流會(huì)消耗無用功，斷開時(shí)由于晶體管電極間的漏電流也會(huì)消耗無用功。MOS管的高溫就是由這兩種無用功耗產(chǎn)生的。

    DrMOS硬件節(jié)能芯片就是采用新技術(shù)新工藝，把新型的MOS和驅(qū)動(dòng)其“開關(guān)”的電路整合在一個(gè)晶片內(nèi)，使其“開關(guān)”切換時(shí)間更短，內(nèi)部電阻和漏電流更低。所以動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度快、轉(zhuǎn)換效率高、無用功耗低、發(fā)熱量小溫度低、面積小功率密度高。采用DrMOS就是從硬件上降低主板的功耗，就是“硬”節(jié)能。

■ Hi-C——高導(dǎo)電聚合物電容

    電容部分Big Bang XPower采用的是高導(dǎo)電聚合物電容，簡(jiǎn)稱Hi-C電容，從上圖看到是塑封帖片式的，看上去有點(diǎn)像鉭電解電容，但實(shí)際并不相同。這種電容的陽極是燒結(jié)鉭（或鋁箔），陽極介質(zhì)是氧化鉭（或氧化鋁），而陰極（電解質(zhì)）是固態(tài)的、高導(dǎo)電聚合物。正由于電解質(zhì)是高導(dǎo)電聚合物，使得它尺寸小而電容量大、ESR極低的特點(diǎn)。

    從上面的ESR值列表可以看出現(xiàn)在用于CPU供電電路最好的電容是Hi-C電容。普通液態(tài)電解電容的ESR在20毫歐以上，固態(tài)電容的ESR是5毫歐。Hi-C電容的ESR小于5毫歐。所以Hi-C電容優(yōu)于固態(tài)電容。

    Hi-C電容的第二個(gè)優(yōu)點(diǎn)是在有浪涌電流通過時(shí)，具有自恢復(fù)的功能，因此功率損耗非常低。

■ Super Ferrite Choke——超級(jí)亞鐵鹽電感

    此次我們發(fā)現(xiàn)微星在Big Bang XPower上所使用的電感為比較特殊的產(chǎn)品，名為“SFC”。這里的SFC可不是超級(jí)任天堂……它是Super Ferrite Choke——超級(jí)亞鐵鹽電感的縮寫。

    亞鐵鹽芯電感擁有較好的用電效率，它比傳統(tǒng)鐵芯電感擁有更好的儲(chǔ)電效能，在高頻的情況下也更能減少電能的耗損。亞鐵鹽芯電感由高頻率鐵氧化物混合所組成，能降低電源損耗并獲得更低的電磁干擾加強(qiáng)系統(tǒng)可靠性，氧化阻抗更優(yōu)于一般鐵芯電感，低電阻式晶體管設(shè)計(jì)可大幅降低電流進(jìn)出時(shí)的能量損耗而且具有更低溫、體積更小及較好的導(dǎo)熱性優(yōu)點(diǎn)。

■ 六核處理器絕配 期待其在測(cè)試中展現(xiàn)能力

    隨著Intel發(fā)布了Gulftown六核處理器，冷淡多時(shí)的X58市場(chǎng)又一次被炒熱了起來，選擇在這個(gè)時(shí)候推出Big Bang XPower的意義也就非常明顯了。我們將在近期為大家?guī)磉@款產(chǎn)品的超頻測(cè)試，請(qǐng)大家不要著急哦~■<