臺積電3nm晶圓廠環差方案通過 2020年動工，2022年量產

　　在10nm開鋪生產線這個節點的時候，全球有能力研發更先進工藝的半導體制造公司就剩下英特爾、臺積電及三星了，其中臺積電在7nm及以后的節點工藝上進度是最快的，目前幾乎壟斷了7nm芯片代工訂單。

　　臺積電的5nm工藝最快明年也會試產，在此之后還有3nm工藝，臺積電目前還在準備階段。昨天臺積電主管部門通過了臺積電3nm工廠環差案，預計總投資不低于6000億新臺幣，也就是折合人民幣1380億，2020年開工建設，2022年底量產3nm工藝。

　　對于3nm晶圓廠來說，除了技術研發之外，它對水電的消耗也不容忽視，特別是大量使用的EUV工藝。其實EUV工藝極其耗電，因為13.5nm的紫外光容易被吸收，導致轉換效率非常低，據研究表明只有0.02%，目前ASML的EUV光刻機輸出功率是250W，工作一天就要耗電3萬度，所以晶圓廠耗電量極其驚人，臺積電公布的2016社會責任報告中提到耗電量總計88.5億度。

　　除了耗電之外，晶圓廠在制造芯片的過程中還需要大量水源，大型晶圓廠每日用水量高達5萬噸，盡管現在已經做到了80%以上的循環用水，但是總量依然驚人，所以建設半導體晶圓廠對環境方面的壓力還是很大的，工藝越先進，資源問題就越明顯。

　　根據臺積電的資料，他們的3nm項目投資超過6000億新臺幣，約1347億人民幣，2020年開始建廠，2021年完成設備安裝，預計2022年底到2023年初量產。

本文編輯：尹走召