缺乏廠商支持 VIA正式終止QBM內(nèi)存研

  　QBM(Qand Band Rate)本來是一種十分優(yōu)秀的內(nèi)存技術(shù)，其利用場效應(yīng)管技術(shù)把DDR內(nèi)存的速度提升一倍，該技術(shù)由Kentron公司設(shè)計并得到VIA的大力支持。

　　在今年六月的Computex Taipei 2004大展中，VIA還在展示一臺運行QBM的PT880平臺，當(dāng)時VIA工程師還對QBM的前景感到樂觀。

　　但時隔不到半年，VIA威盛電子芯片暨繪圖芯片業(yè)務(wù)處Vice President許偉德生先向HKEPC網(wǎng)站透露，由于QBM缺乏內(nèi)存廠商的支持，加上DDR2的普及，QBM內(nèi)存已沒有多余的生存空間，VIA的芯片組將不會再對QBM內(nèi)存作出支持，并終止了對QBM內(nèi)存的研發(fā)工作。