激超5.3GHz!網(wǎng)友分享戰(zhàn)旗H55超頻教程

    泡泡網(wǎng)主板頻道11月17日 七彩虹戰(zhàn)旗系列主板一直以較高的性價比為玩家們所稱道，尤其是最新的戰(zhàn)旗C.H55 X7，更是在Intel Core i3處理器良好超頻性的配合下更是創(chuàng)造了很多非常優(yōu)秀的超頻成績。今天我們請到了來自Speedtime戰(zhàn)隊的Fengke童鞋，讓他以Core i5 655K這顆處理器為例為大家介紹一下C.H55 X7這款主板的超頻選項，希望對一些超頻苦手的朋友們所有幫助。

    下面就以Fengke童鞋的口吻來敘述：

    七彩虹戰(zhàn)旗C.H55 X7 主板開機(jī)畫面，提供了主板信息，內(nèi)存參數(shù)信息，硬盤信息。

    如上圖所示，按F1進(jìn)入bios設(shè)置，按F2進(jìn)入默認(rèn)設(shè)置并且進(jìn)系統(tǒng)。超頻時建議關(guān)閉的選項：“Full screen Logo”開機(jī)畫面，一般指廠商logo，可以disabled，加快開機(jī)速度；“Wait For ‘F1’ if error”顧名思義，任何錯誤都停止按f1通過，當(dāng)然得disabled。

    軟驅(qū)，串口，聲卡，網(wǎng)卡，建議超頻的時候全部disabled，因為本人曾經(jīng)有超頻燒壞網(wǎng)卡和聲卡的經(jīng)歷。

節(jié)能引擎之類的也得關(guān)掉，既然都超頻了，俺們不要節(jié)能！哈哈~

    在CPU Advanced下的一些節(jié)能選項也需要關(guān)閉，如上圖，Speedstep，CIE,TM function之類關(guān)閉，其他打開，因為某些選項關(guān)乎到性能；Ratio CMOS Setting是調(diào)節(jié)倍頻，因為我用的655k 是不鎖倍頻的，所以可以隨便調(diào)節(jié)倍頻。

    做完了上面那一些步驟 現(xiàn)在可以開始超頻了，進(jìn)入超頻選項Cpu Clock Mode，選擇OC mode，OC=overclock cpu frequency等于外頻可以從100調(diào)節(jié)到400。

    QPI Frequency=外頻X2x （ 12/18/22/24，這個為固定值，有些主板會顯示X24,X36,X44,X48）。因為QPI Frequency 一般來說高于8000會造成系統(tǒng)不穩(wěn)定，另一方面越高效能也越高，并且和外頻有關(guān)系,比如外頻為166的時候。QPI Frequency=166x2x 12/18/22/24 =1992X2/2988X2/3652X2/3984X2=3984/5976MHZ/7968MHZ/73047968MHZ/7968MHZ。

    內(nèi)存頻率，這個一目了然了，有些主板會以比率的形式顯示，比如2：10,CPUZ中也會這樣顯示，七彩虹這樣顯示可以很直觀的看到頻率。

    調(diào)諧電壓，這個默認(rèn)選擇800就行，跑極限的時候可以適當(dāng)提高到1000，900那一檔是空的。

    內(nèi)存小參設(shè)置選項，很可惜這個主板不支持xmp，因此需要全手動調(diào)節(jié)，還好七彩虹給出的參數(shù)還算比較豐富，因為我內(nèi)存比較好，所以可以選擇到7-7-7-21，一般的內(nèi)存建議選擇9-9-9-27。

    XMP全名Extreme Memory Profile，是Intel在測試過各內(nèi)存廠商的產(chǎn)品后為其定制的類似SPD的一系列優(yōu)化性能的內(nèi)存參數(shù)，而且是為超頻定制。因此最后要提的一個基本超頻技巧，就是如果你的內(nèi)存支持XMP，別忘了打開它。有些內(nèi)存是支持兩組XMP設(shè)定，有一組是跑低延遲的，一組是跑高頻的，記得按需選擇，別用低延遲的XMP去超高頻。另外，在XMP的基礎(chǔ)上，還是可以有一定的優(yōu)化空間的。

    需要隨時與CPU通信，同時也要與外部存儲器例如硬盤通信。內(nèi)存和CPU不一樣，并不是頻率越高，運(yùn)算速度就越快。因為內(nèi)存是一種有存取延時的存儲器，用戶的每一個操作，都要經(jīng)過內(nèi)存響應(yīng)后交給CPU處理，而內(nèi)存在讀取和寫入的時候，都會有一個響應(yīng)時間，這個響應(yīng)時間，表現(xiàn)就是通常所說的“時序”，它由四個阿拉伯數(shù)字組成，而在JEDEC規(guī)范中，這四個數(shù)字的排序是規(guī)定的，為：CL-tRCD-tRP-tRAS。下面分別簡單介紹一下這四個參數(shù)的意義。

    CAS（Column Address Strobe，列地址信號） Latency：簡稱CL值，表示從內(nèi)存收到CPU的讀取命令后到讀取數(shù)據(jù)結(jié)束（響應(yīng)）的延遲。是內(nèi)存在確定地址后到讀?。▽懭?WBR>）數(shù)據(jù)之前的響應(yīng)時間。通俗的說，就好比人的反應(yīng)時間，從你看到某個事物到做出反應(yīng)或者想法，你的大腦會有一個響應(yīng)時間。

    RAS（Row Address Strobe，行地址信號） to CAS Delay：簡稱tRCD，從字面意思理解就是行地址信號到列地址信號的延遲，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)就好比一個表格，有行有列，當(dāng)內(nèi)存要讀寫某個指定地址的數(shù)據(jù)時，就需要找到它在第幾行第幾列，而內(nèi)存會首先發(fā)送一個行地址信號（RAS），再發(fā)送一個列地址信號（CAS），而這兩個信號發(fā)送不是同時的，而是有延遲的，這個延遲就是tRCD，并且，這個延遲對同頻率下內(nèi)存性能的影響最大。

    RAS Precharge：簡稱tRP，即RAS預(yù)充電時間。也就是內(nèi)存從結(jié)束一個數(shù)據(jù)處理到下一個處理開始前的最短時間周期。

    Row Active Delay：簡稱tRAS，指從內(nèi)存接受到一個新請求到激活內(nèi)存地址的間隔，這個參數(shù)并不是太重要，因為它只是內(nèi)存要創(chuàng)建一個新數(shù)據(jù)時候才用到的延遲，但這個值太高或太低都不好，太高了會導(dǎo)致內(nèi)存地址激活周期變長，影響性能，太低了會造成已激活的地址提早進(jìn)入非激活狀態(tài)，出現(xiàn)數(shù)據(jù)錯誤或需要重新激活。

    簡單的說，CL值是內(nèi)存對同一地址的存取延時，而后邊三個則是尋址延時。

    內(nèi)存宏觀延遲的算法很復(fù)雜，因為除了以上提到的四個參數(shù)外還有許多別的參數(shù)，但是我們可以用一個基本算法，計算存取延時，來評定內(nèi)存的性能。首先我們要知道，以上提到的四個參數(shù)，單位都為“周期”，而不是納秒。一個周期是多長呢？這就是由內(nèi)存頻率決定的。我們知道DDR3-1600的實際頻率為800MHz，DDR的意識是雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率（Double Data Rate），并不是真實的工作頻率。所以DDR3-1600的內(nèi)存在1秒鐘內(nèi)可以工作800, 000, 000個周期。那么我們就可以反過來推算出它的頻率周期是1.25納秒，而根據(jù)上面提到CL值的含義，假設(shè)這里CL值為8 clock，那么我們就可以得到內(nèi)存真正的存取延遲為1.25*8=10ns。

    作為風(fēng)冷超頻加強(qiáng)包的一部分，開機(jī)進(jìn)系統(tǒng)以后，按一下那個旋鈕旁的開關(guān)，燈亮了以后，可以通過旋轉(zhuǎn)旁邊的旋鈕提高外頻，對于極限產(chǎn)品來說，是很實際的功能，當(dāng)然在風(fēng)冷下也很好用。

    下面來看主板的電壓選項：

    CPU電壓，最高可以加到1.6V對于風(fēng)冷超頻來說足夠了；CPU Vtt電壓選項，七彩虹戰(zhàn)旗C.H55 X7 作為超頻主板，在此處提供了比較大的調(diào)節(jié)范圍，最高可以加到0.375v，當(dāng)然這個電壓不是越高越好，需要各位玩家自己琢磨，一般來說+02.5-0.35即可；內(nèi)存電壓建議小幅加壓，設(shè)置在1.7V-1.75V；PCH平臺電壓也可以小幅加壓，設(shè)置為1.12V-1.15V。

    另外如上圖所以，此主板還提供了bios選項存檔功能，適合超頻的時候調(diào)教。

    下面是我用這張主板配合Core i5 655K風(fēng)冷超頻的成績：

風(fēng)冷5.3GHz CPU-Z官網(wǎng)認(rèn)證：點擊進(jìn)入

屏幕截圖

    好了，超頻經(jīng)驗就先給大家介紹到這里，希望各位用這款主板超的更好更高更舒心~■<