三星開始量產512GB eUFS 3.1芯片，寫入速度超1.2GB/s

　　三星、海力士、鎂光三家企業擁有全世界80%以上的閃存生產能力，尤其是三星主導了閃存行業的定價，對于大部分旗艦手機來講，都會標配三星閃存。

　　3月17日消息，根據國內媒體報道，三星正式對外宣布開始量產512GB eUFS3.1閃存，可以用戶智能手機和平板，根據官方介紹，全新的512GB eUFS3.1閃存較上代寫入速度提升200%，達到了1200mb/s，而上一代僅為410mb/s。

　　根據三星介紹，新的eUFS3.1閃存還將有128G和256G容量，同時三星還透露，位于中國西安的X2線已經在本月開始生產第五代V-NAND（9x層），韓國平澤市的P1線將轉向第六代V-NAND閃存（1xx層）芯片的量產。

　　在已經到來的5G時代，以三星為代表的eUFS3.1可以突破手機讀寫速度，帶來更高效的操作體驗，同時繼續引領手機行業邁向更高的價位段。

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