英特爾5nm工藝曝光，目標超越臺積電3nm

　　Digitimes在日前發表的研究報告中，分析了三星、臺積電、Intel及IBM四家的半導體工藝密度問題，并對比了10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的情況。

　　從表中可以看到，英特爾工藝在目前10nm節點上晶體管密度已經達到了已經達到了1.06億/mm2，略超三星與臺積電在7nm上分別0.95億/mm2和0.97億/mm2的密度。

　　而在下一代7nm的節點，英特爾目標將晶體管密度提升至1.8億/mm2，如果計劃達成，其密度不僅將超過目前臺積電最新的5nm工藝，更大幅甩開三星的5nm。

　　在隨后的5nm工藝中，英特爾將目標定在了3億/mm2，此目標同樣高于臺積電的3nm計劃，與三星3nm的差距還會進一步拉大。