3D晶體管公布 22nm制程IvyBridge采用

    泡泡網(wǎng)CPU頻道5月6日 北京時(shí)間5月5日，Intel在北京正式發(fā)布了最新的3-D晶體管技術(shù)，宣布在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域取得了革命性突破。Intel技術(shù)與制造事業(yè)部亞洲區(qū)發(fā)言人兼Intel半導(dǎo)體大連總經(jīng)理柯必杰到場(chǎng)，為大家詳細(xì)講解了3D晶體管的作用和Intel的22nm制程技術(shù)。

    傳統(tǒng)晶體管通過柵極的開關(guān)，來實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的控制，Intel稱之為2D晶體管。在工藝發(fā)展到22nm制程時(shí)，Intel認(rèn)為，如今晶體管面積縮小已經(jīng)面臨極限，必須在設(shè)計(jì)上有所突破。

傳統(tǒng)晶體管柵極控制示意圖

黃色部分代表電流通過的“流路”

    3D晶體管主要是將電流的“流路”3D化，柵極開關(guān)基本不變，主要是部分3D化。所以并非是講傳統(tǒng)二維空間里的晶體管三維化發(fā)展、得到更多晶體管數(shù)量。3D晶體管主要是為了對(duì)電流有更好的控制，從而達(dá)到更高的性能和更低的功耗。

    在新的結(jié)構(gòu)中，可以看到傳統(tǒng)的二維“流路”已經(jīng)被3D化的鰭片“流路”代替，在三個(gè)方向讓電流通過。從而實(shí)現(xiàn)在“開”的狀態(tài)下讓更多電流通過，在“關(guān)”的狀態(tài)下盡可能讓電流接近0。

    相關(guān)報(bào)道：Intel發(fā)明3D晶體管技術(shù) 22nm工藝采用

    三柵極的3D晶體管將會(huì)在Intel 22nm制程工藝中采用，率先應(yīng)用到代號(hào)為Ivy Bridge的下一代CPU中。

Intel近10年制程工藝的發(fā)展

3D晶體管放大演示圖

    我們看到的3D晶體管主要是半導(dǎo)體制程方面的技術(shù)，那么應(yīng)用到實(shí)際的產(chǎn)品上，對(duì)用戶而言有什么意義呢？Intel客戶端平臺(tái)部經(jīng)理張健為我們?cè)忈屃?D晶體管帶來的意義。

    最重要的作用，其實(shí)可以歸結(jié)為亮點(diǎn)：一是CPU低電壓的性能大幅度提升，Intel公布的數(shù)據(jù)是比現(xiàn)有32nm晶體管提升37%；二是跟32nm相同性能的晶體管相比，耗電量只需要一半。

    同時(shí)，3D晶體管還對(duì)控制成本方面非常有利，Intel公布3D晶體管的制造成本僅提升2%～3%。

    從3D晶體管的兩大特性：低電壓性能提升37%、同比功耗降低一半，無疑可以看出是針對(duì)移動(dòng)平臺(tái)的特性。在筆記本和嵌入式應(yīng)用領(lǐng)域都將發(fā)揮巨大的作用。不過，Intel并未將這種22nm的工藝率先應(yīng)用于比如Atom平臺(tái)，而是仍然首打Ivy Bridge的臺(tái)式機(jī)和筆記本領(lǐng)域。

近看3D柵格

    從這點(diǎn)上看，Intel奉行的一種比較穩(wěn)健的策略，畢竟傳統(tǒng)的臺(tái)式機(jī)、服務(wù)器和筆記本CPU是Intel最主要的陣地。Intel的考慮可能是鞏固這一領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。

    不過，此技術(shù)推出后，和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，可能會(huì)進(jìn)一步拉大。但是未來的一段時(shí)間，云計(jì)算和移動(dòng)互聯(lián)將會(huì)有更迅猛的發(fā)展。Intel對(duì)于云計(jì)算非常重視，推出了眾多的解決方案。不過在ARM當(dāng)?shù)赖囊苿?dòng)互聯(lián)領(lǐng)域，Intel一直沒有什么太好的辦法。

    3D晶體管從性能指標(biāo)來看，相當(dāng)適合移動(dòng)互聯(lián)這一領(lǐng)域如手機(jī)、平板等。當(dāng)然，正如Intel自己所說，制程工藝僅僅是一種基礎(chǔ)，落實(shí)到實(shí)際的產(chǎn)品上，還需要各方面的條件來配合。如今的移動(dòng)互聯(lián)基本上是ARM的天下，X86架構(gòu)要想殺入不僅僅是一個(gè)功耗和性能的問題，這方面我們繼續(xù)等待Intel如何解決。

    詳細(xì)報(bào)道：Intel發(fā)明3D晶體管技術(shù) 22nm工藝采用■<