4266MHz/1.05V DDR4內(nèi)存或將明年面世

    泡泡網(wǎng)CPU頻道4月5日 日前，爆料王VR-Zone報道稱，Intel計劃于2013年正式發(fā)布22nm Haswell-EX商用平臺，而與之一同登場的還有DDR4內(nèi)存規(guī)格。

    據(jù)稱，22nm Haswell-EX商用平臺最少有16顆物理核心，如果是一款4處理器插槽的主板的話，整個平臺將會有用60多顆物理核心。如此龐大的核心數(shù)量自然需要更高的帶寬需求以及低功率內(nèi)存架構，而這正使得DDR4派上用場，正式上位。

    DDR4內(nèi)存規(guī)格目前正處于研發(fā)階段，基于32nm以及36nm制程工藝，目前有Samsung、Hynix等內(nèi)存廠商操辦。據(jù)iSuppli預測數(shù)據(jù)顯示：2013年，DDR4的市場份額將會達到12%，而到了2015年，這個數(shù)字有望飆升至56%。

    全新的DDR4有望采用1.2V甚至更低的電壓供電（目前DDR3采用的是1.5V電壓），默認頻率2133MHz起步，每秒可以執(zhí)行21.3數(shù)據(jù)的吞吐量。另據(jù)消息稱，DDR4的默認頻率可以到達4266MHz，默認電壓只有1.05V。

    在臺式方面，Intel的22nm Haswell以及14nm Broadwel平臺將會支持全新的Socket LGA 1150處理器接口（和目前的Socket LGA 1155/1156少5-6個針腳），不過這兩個到2013/2014年才會登場的平臺屆時也只能支持DDR3內(nèi)存規(guī)格。

    桌面級平臺真正邂逅DDR4要等到2015年的14nm Broadwell平臺。■