最快1600MHz LPDDR3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

    泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月20日 JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會近日正式發(fā)布了新一代低功耗內(nèi)存技術(shù)LPDDR3的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，可滿足當(dāng)今和未來移動設(shè)備的高性能、高密度內(nèi)存需求，比如智能手機、平板機、超輕薄筆記本、迷你聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等等。

LPDDR3內(nèi)存顆粒

    相比于現(xiàn)在普遍使用的LPDDR2，LPDDR3帶來了更高的數(shù)據(jù)傳輸率、帶寬、能效、存儲密度，比如數(shù)據(jù)率達到1600Mbps，比前輩的1066Mbps增加了整整一半。

    LPDDR3也一樣支持PoP堆疊封裝和獨立封裝，以滿足不同類型移動設(shè)備的需要。LPDDR2的能效特性和信號界面都也得以延續(xù)。

    除此之外，LPDDR3重點加入了三項新技術(shù)：

    - Write-Leveling and CA Training(寫入均衡與指令地址調(diào)馴)：可讓內(nèi)存控制器補償信號偏差，確保內(nèi)存運行于業(yè)內(nèi)最快輸入總線速度的同時，維持數(shù)據(jù)輸入設(shè)定、指令與地址輸入時序均滿足需求。

    - On Die Termination(片內(nèi)終結(jié)器/ODT)：可選技術(shù)，為LPDDR3數(shù)據(jù)平面增加一個輕量級終結(jié)器，改進高速信號傳輸，并盡可能降低對功耗、系統(tǒng)操作和針腳計數(shù)的影響。

    - 低I/O電容

    LPDDR3標(biāo)準(zhǔn)由JEDEC JC-42.6低功耗內(nèi)存委員會制定，可以免費下載(需注冊)?！?/P>