AMD高端不給力！Intel IVB-E明年發(fā)布

    泡泡網(wǎng)CPU頻道8月31日 我們之前已經(jīng)報道過，Intel下一代旗艦產(chǎn)品Ivy Bridge E要到明年這個時候才會發(fā)布。今天，我們獲得了更多關(guān)于新旗艦的資訊，一起來了解一下。

    Intel Ivy Bridge E將會基于22nm Hi K+ metal gate制程工藝，起始頻率有望達到3.5GHz，運算性能將會大幅提升，同時將會引入Turbo Boost Technology 2.0自動睿頻技術(shù)和優(yōu)異的超線程技術(shù)。當然了，最為新旗艦，Ivy Bridge E將會不鎖倍頻，同時還會沿用X79平臺的LGA 2011接口，熱設(shè)計功耗為130W。

    不過，和目前的X79平臺相比，Ivy Bridge E將會支持40-lane PCI Express 3.0帶寬，也即是說，全新的Ivy Bridge E平臺至少可以支持3塊以上的顯卡并聯(lián)，這對于發(fā)燒級游戲玩家而言無疑是個利好消息，而且還可以支持4通道DDR3 1866MHz內(nèi)存規(guī)格，非常適合超頻。

    我們不知道為何Intel要到明年Q3才會發(fā)布新旗艦來取代當前的旗艦Sandy Bridge E，也許是AMD在高端領(lǐng)域不太給力吧！■