英飛凌即將投產(chǎn)512Mb GDDR3內(nèi)存顆粒!

　　Xbitlabs報道，內(nèi)存大廠英飛凌（Infineon）周3宣布了其新款GDDR3顆粒，新顆粒瞄準(zhǔn)未來高端顯卡，將爭奪高端顯存芯片市場份額。

　　這種512Mbit GDDR3顆粒可以安裝在512MB甚至1GB顯存的顯卡上，工作頻率為1600MHz，能為顯卡提供256bit，高達(dá)51.2GB/s的帶寬。顆粒大小為11mm x 14mm x 1.2mm，采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的136-ball FBGA封裝方式，工作電壓1.8V。

　　英飛凌稱其在今年2月份已經(jīng)交付了這種高速GDDR3內(nèi)存芯片樣品，計劃在今年下半年開始量產(chǎn)，而使用這種顆粒的512MB甚至1GB顯存顯卡將在今年Q3或Q4上市。