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      制程之痛 先進工藝為我們帶來了什么?

          泡泡網固態硬盤SSD頻道3月6日 在很早以前,很多地方已經開始報道19NM Nand芯片已經開始量產等新聞,到了現在,越來越多SSD采用新制程的閃存Nand芯片了。到底新制程的芯片與老制程的芯片有什么區別呢?我們先說下得失:

          NAND閃存制程的提升,直接就能讓Die尺寸以及成本得到減小,例如當年IMFT的34nm工藝下難以生產不出8GB的Die(需要兩個Die),如果基于IMFT的25nm工藝,Die大小為167平方毫米,而如果改用IMFT的20nm工藝可進一步減少到118平方毫米,面積縮減了30%,芯片產量則可以提高40%,成本大大降低。

      東芝24NM閃存

      東芝19NM閃存

          雖然成本是比起以前大大降低了,不過有得有失,我們看看負面的影響:

      1:Nand擁有更加先進的制程,因為物理特性的原因,在同樣的空間要做出更加多的充放電動作,這則會增加讀寫數據的延時。延時增大了,性能很明顯就會下降了。

      2:不單只是增加延時的問題,密度的上升讓SSD主控的糾錯校正能力都受到了新的考驗。新制程所帶來的數據錯誤率比以前高,SSD的主控糾錯能力要求就更加高了。例如:以前每KB只需要24b的ECC,現在就要40b的ECC了。

      3:壽命,當年34NM的Flash演變到25NM,已經由普遍的5000P/E跌落到普遍的3000P/PE。當然有少數SSD采用了5000P/E,甚至1萬P/E的Nand Flash。不過好遺憾的是,25NM到了20NM將會繼續下降。

      影馳Laser GT 采用了5000P/E數值的24NM Nand Flash

          現在市場上還能找到少數24NM NAND的SSD,影馳Laser GT系列則是其中之一。新制程的優勢:更容易做大容量、而且能讓SSD更加廉價。

          老制程的優勢:性能更優秀、壽命更加長、更穩定的運行性。對比新制程的優勢,新制程所帶來的弊比利要更多。而選擇什么樣顆粒的SSD,還是要看各位用戶的選擇了?!?/P>

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