SSD工藝里程碑 美光樣產16nm MLC閃存
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泡泡網固態硬盤SSD頻道7月17日 閃存工藝競賽又達到了一個新的里程碑。美光日前宣布,公司已經開始樣產業內最小的128Gb(16GB)MLC NAND閃存芯片,該芯片使用最新的16nm工藝,領先于目前使用的20nm工藝。
美光表示,該16nm節點不僅是目前領先的閃存工藝制程,而且對于任何出樣的半導體設備來說都是非常先進的。它進一步加固了美光在存儲技術開發和提供非常先進的半導體解決方案方面的領先地位。
據悉美光的128Gb MCL NAND閃存芯片主要應用于消費級SSD、可移動存儲(包括U盤、閃存卡)、平板、超輕薄設備、智能手機以及數據中心云存儲。全新的128Gb閃存芯片將提供更好的“每平方毫米的字節數”(單晶圓最大容量可達6TB)。也就是說,單個晶圓可以可以出產更多芯片成品。
現階段的SSD往往采用8通道閃存控制器,每個通道可連接四顆NAND閃存,所以要到達峰值性能需要32顆閃存芯片。通常240-256GB的SSD只需要16顆 128Gb的芯片,而120-128GB的只要8顆。所以目前使用20nm工藝的美光M500 SSD,128GB版本的性能就要明顯低于480GB的版本。而16nm 128Gb閃存的出現,未來有望提高SSD的容量,并降低成本。
目前,美光已經選擇合作伙伴對16nm 128Gb MLC閃存進行出樣,預計2013年第四季度開始量產,使用該芯片的SSD會在2014年出貨。■
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