眾人拾柴火焰高 MRAM存儲技術聯盟成立

    泡泡網內存頻道11月25日 20多家日本以及美國企業已經組成MRAM技術研發聯盟，聯合開發MRAM技術，不過按照目前MRAM的發展進程，想要大規模投入使用MRAM，預計還得等到2018年。

    以東京電子、信越化工、瑞薩電子、日立以及美光科技在內的20多家日本以及美國企業已經組成MRAM技術研發聯盟，聯合開發MRAM技術，預計在明年2月份就會啟動相關的技術研究項目。

    MRAM的全稱是Magnetic Random Access Memory，即磁阻式隨機存取存儲器，這是一種非易失性存儲器，速度與DRAM不相上下，但功耗更低、容量更大，被視為下一代高速存儲器的理想之選，適合用于固態硬盤、智能手機、平板電腦等設備上。

    按照目前MRAM的發展進程，想要大規模投入使用MRAM，預計還得等到2018年，不過現在已經陸續有廠商推出MRAM產品，例如在本月中旬，美國Everspin技術公司就推出了ST-MRAM芯片，這種芯片存儲速度是普通MLC芯片的500倍，已經達到了DRAM芯片的水平。

    Buffalo Memory也在日前推出了SS6系列固態硬盤，該系列固態硬盤就配置了Everspin的DDR3 ST-MRAM芯片作為固態硬盤高速緩存。這種高速緩存采用WBGA封裝設計，單顆容量為64Mb（8MB），最高頻率為1600MHz，最高帶寬為3.2GB/s，納秒級延遲，從性能來說已經不輸給DRAM芯片，而且由于斷電不丟失數據，因此產品無需為緩存電路配置大容量電容或者是高級掉電保護技術。■