20納米MLC閃存 英特爾新固態(tài)硬盤曝光

    泡泡網(wǎng)固態(tài)硬盤SSD頻道12月5日 Myce泄露了Intel固態(tài)硬盤的官方路線圖，其中赫然就有日前曝光的用上了散熱片的企業(yè)級產(chǎn)品。事實(shí)上，這就是一份專業(yè)級產(chǎn)品規(guī)劃，看不到消費(fèi)級新型號的影子。

    2014年第二季度，Intel將會發(fā)布三款企業(yè)級固態(tài)硬盤。Fultondale、Pleasantdale的正式命名分別為DC P3700、DC P3500系列，均采用20nm MLC NAND閃存顆粒，只不過前者使用了耐久性更好、更加可靠的HET。它們將取代現(xiàn)有的DC S3700、DC S3500系列，其中后者已經(jīng)是20nm MLC，前者則是25nm HET MLC。

    同樣在那個季度，我們還會看到“Temple Star”，正式型號Pro 2500系列，取代現(xiàn)有的Sierra Star Pro 1500，但閃存顆粒維持20nm MLC。

    屆時，Intel固態(tài)硬盤將全面進(jìn)入20nm時代。Pro 2500會繼續(xù)提供M.2、2.5寸兩種規(guī)格，但前者會新增60毫米厚度版本，并支持OPAL 2.0、vPro SCS 9.1等新技術(shù)，不過奇怪的是，容量方面不但沒有任何進(jìn)步，反而可選余地更少，只有80GB、180GB、240GB、360GB、480GB這五種，去掉了現(xiàn)有的120GB，且不同接口規(guī)格對應(yīng)容量不同。

    性能方面，持續(xù)讀寫最高540MB/s、490MB/s，和現(xiàn)在完全相同，隨機(jī)讀寫最高42000 IOPS、52000 IOPS，前者稍稍有提升，后者卻出現(xiàn)了大幅度下滑——現(xiàn)在可達(dá)80000 IOPS。

    不知道這樣的升級意義何在，可能還有其它未披露的地方吧。

    DC P3700、DC P3500外形上看起來完全相同，都提供2.5寸、PCI-E x4擴(kuò)展卡兩種樣式，均完整覆蓋散熱片，功耗方面均為寫入時25W、待機(jī)時10W，支持端到端數(shù)據(jù)保護(hù)、掉電數(shù)據(jù)保護(hù)、AES-256加密。

    DC P3700的容量提供2TB、1.6TB、800GB、400GB、200GB，可在五年內(nèi)經(jīng)受每天十次全盤寫入，那就是最多36.5PB。DC P3500則是有2TB、1TB、500GB、250GB，最高寫入量374TB，相當(dāng)于五年內(nèi)每兩天一次全盤寫入。

    兩款產(chǎn)品的性能基本一致，PCI-E模式下最高持續(xù)讀寫都能達(dá)到恐怖的2.8GB/s、1.7GB/s，4K隨機(jī)讀取最高450000 IOPS，4K最高寫入則是唯一不同的，最高分別為150000 IOPS、40000 IOPS。■