全球數(shù)一數(shù)二！臺灣存儲業(yè)現(xiàn)狀與未來

    從2006年開始，全球新增多座12寸晶圓廠，其中臺系廠商動作較大。新工廠的投產(chǎn)，極大的提高了產(chǎn)能，規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)在降低成本上也發(fā)揮了極大的優(yōu)勢。另一方面，新12寸晶圓廠普遍都應(yīng)用了90納米甚至更先進(jìn)的制作工藝，工藝的提升一方面為產(chǎn)能提高作出貢獻(xiàn)，還為降低成本立下功勞。然而，產(chǎn)量的巨幅增加遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于終端市場消化量，DDR2內(nèi)存降價就成為了必然。

    到了2007年，內(nèi)存產(chǎn)量還在增長， 根據(jù)當(dāng)時4月12日最新的IC Insights 2007世界半導(dǎo)體預(yù)測報(bào)告顯示，2006年全球半導(dǎo)體行業(yè)資本投資總額上升18%，達(dá)547.50億美元。這一數(shù)字占去年半導(dǎo)體銷售總額的22.1%。 用于快閃記憶體擴(kuò)容的投資上升35%，達(dá)110.50億美元。內(nèi)存去年投資更是激增44%，達(dá)到13.9億美元。

    作為主要的半導(dǎo)體生產(chǎn)環(huán)節(jié)，內(nèi)存市場比去年總額增長32%，在半導(dǎo)體行業(yè)中顯得非常搶眼。而且這一增長源于良好的個體數(shù)量(13%)和ASP的增長(17%)。然而，似乎內(nèi)存市場的利好勢頭再次讓內(nèi)存供應(yīng)商們一窩蜂地增加投資和擴(kuò)容。

    無限的擴(kuò)容使得內(nèi)存到了08年，大家對內(nèi)存的稱呼已從“降價”、“暴跌”直接換成“白菜”。 縱觀2008內(nèi)存市場，整體格局依然沒有變化，DDR、DDR2、DDR3共存的局面始終沒有打破，唯一的變化是DDR2-800規(guī)格徹底取代DDR2-667規(guī)格，其中包括筆記本內(nèi)存市場。另外，DDR3方面，雖然價格也是幾百幾百的下跌，但是受DDR3主板價格偏高的影響，一直沒有得到很好推廣，商家反映DDR3內(nèi)存每天幾乎無人問津。