925XE很生氣!Intel nF4 SLI深入評測
測試標(biāo)題925XE很生氣!Intel nF4 SLI深入評測
2005年04月06日 18:32作者:鳳臣編輯:常鳳臣文章出處:泡泡網(wǎng)原創(chuàng)
nForce4 SLI Intel版本芯片組所提供的雙通道的內(nèi)存控制器支持交叉存取,這就好比是一條道路已經(jīng)給鋪好了,我們接下來就來談?wù)劦缆飞吓艿密囕v的問題。
前面我們已經(jīng)知道,nForce4 SLI Intel版本芯片組支持最高達(dá)DDR2 667的內(nèi)存,然而,支持DDR2 667內(nèi)存也并不是件很簡單的事情,因為NVIDIA在其中做了進(jìn)一步的加強(qiáng)。
DDR內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展到了DDR400就終結(jié)了,隨之而來的就是DDR2內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的市場化過程了,DDR2內(nèi)存相對于DDR內(nèi)存頻率更高,電壓更低,功耗更小,而且由于工作原理相同,對于晶圓廠的轉(zhuǎn)產(chǎn)難度并不是很高。
在nForce4 SLI Intel版本中,NVIDIA僅僅提供了對最新的DDR2 內(nèi)存的支持,并沒有加入對DDR內(nèi)存的兼容,因為那樣就會對性能造成一定的影響,不如專心把DDR2內(nèi)存的部分做好。
通過我們了解,NVIDIA的確把DDR2的文章做的非常好,這不光指前面所曾經(jīng)提到的控制器的技術(shù),針對內(nèi)存本身,NVIDIA也做了不少加強(qiáng):
第一,為每個內(nèi)存插槽 配置一個專用地址和指令總線,該地址總線的負(fù)載是內(nèi)存接口速度的主要限制因素。

獨立的內(nèi)存地址和指令總線
通常,無緩沖的DIMM 會向地址總線分配8 個或16 個負(fù)載,相比之下,分配給數(shù)據(jù)總線的負(fù)載則最多為2 個。通過使每個DIMM 使用一個專用地址總線,而不是多個DIMM 共享所有總線,NVIDIA 確保了內(nèi)存控制器不僅可以支持高數(shù)據(jù)率,而且能以1T 地址定時運(yùn)行,從而縮短了內(nèi)存時延
第二,確保內(nèi)存能夠以1T 地址定時運(yùn)行,從而縮短了內(nèi)存時延。

1T地址定時運(yùn)行相對2T地址定時運(yùn)行的優(yōu)勢
如果在一個時鐘周期內(nèi),內(nèi)存控制器將地址和指令發(fā)送至地址總線,并且由DRAM 設(shè)備鎖存,則實現(xiàn)了1T 地址定時。如果在一個時鐘周期內(nèi),內(nèi)存控制器將地址和指令發(fā)送至地址總線,而DRAM 設(shè)備是在下一個時鐘周期內(nèi),對其進(jìn)行鎖存,則為2T 地址定時。2T 地址定時用于確保為地址和指令提供充足的設(shè)置和保持時間。地址總線共享多個DIMM 常常造成地址總線負(fù)載沉重,此時就必需采用2T 地址定時。
執(zhí)行2T 地址定時的系統(tǒng)性能總是低于執(zhí)行1T 地址定時的系統(tǒng)性能,因為2T 地址定時相當(dāng)于使CAS 時延增加了整整一個時鐘周期。這對于生成大量隨機(jī)內(nèi)存存取指令的應(yīng)用尤其顯著,因為每一次打開新的頁面時用戶都能明顯地感覺到更長延時。
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