讓威尼斯E3超得更高!NF4主板電壓改造
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作為NF4超頻旗艦板，一直被國內(nèi)外廣大玩家認(rèn)同，幾乎AMD 64位處理器的超頻記錄都是在這里產(chǎn)生的。而當(dāng)我們有時(shí)在做極限超頻的時(shí)候，雖然DFI提供了可調(diào)電壓范圍比較大，但是依然不能滿足部分玩家的需求，特別是如果你擁有一對(duì)BH-5顆粒的內(nèi)存，而你的主板卻只能加壓到2.9V，遇到這樣的事情是很郁悶的。之前我們也有關(guān)于DFI NF4的報(bào)道 ，詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《DFI再封NF4！導(dǎo)電銀漆Ultra-D變身SLI 》。
◎ 內(nèi)存電壓改造：
在LM358內(nèi)存控制芯片上用一個(gè)50Ω的電阻使10號(hào)引腳與15號(hào)引腳連接（連接點(diǎn)用黃色點(diǎn)標(biāo)記），這樣改造后內(nèi)存將獲得3.3v和5v電壓提供。圖中還標(biāo)出了內(nèi)存電壓測(cè)量點(diǎn)“vdimm check”。在調(diào)節(jié)時(shí)，通過對(duì)該點(diǎn)的測(cè)量就可知道實(shí)時(shí)內(nèi)存電壓，方便玩家控制。玩家注意，據(jù)官方資料顯示，內(nèi)存電壓最好不要超過3.8V，否則會(huì)損壞顆粒。
◎ 處理器核心電壓改造：
改造方法：PWM(脈寬調(diào)制)調(diào)制芯片是ISL6559,這也是常見的多相PWM控制芯片。在ISL6559內(nèi)存控制芯片上用一個(gè)50Ω的電阻使10號(hào)引腳與15號(hào)引腳連接（連接點(diǎn)用黃色點(diǎn)標(biāo)記）, 連接好后在處理器將獲得比標(biāo)準(zhǔn)電壓要高的實(shí)際電壓。.
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