買料還是買質量？主板技術趨勢大剖析

    微星獨特技術之DrMOS

    微星科技近幾年在主板的研發方面推出了多項獨特的技術及設計，之前我們的介紹也只局限于宣傳資料上的文字，而今天我們將比較詳細的向大家介紹一下目前微星科技在主板的設計及用料方面有哪些獨特之處。

    首先就是微星目前的當家技術——DrMOS。

    在討論DrMOS之前，我們先要簡單介紹一下剛才討論過的一個名詞——場效應管。場效應管MOSFET就是起到“開關”的作用。它可不是一般的開關，一秒鐘開關頻率要高達一萬次！所以我們要看看MOSFET是如何進行開關的。

MOSFET——場效應管

    MOSFET的全稱是：金屬氧化物半導體場效應晶體管，英文全稱是：Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor。MOSFET具有開關速度極快、內阻小、輸入阻抗高、驅動電流小（0.1μA左右）、熱穩定性好、工作電流大、能夠進行簡單并聯等特點，非常適合作為開關管使用。

    主板經常采用的MOSEFT基本上有二大類：分立MOSEFT和整合MOSEFT。分立MOSEFT有二種封裝：D型封裝的，POWER型封裝的。整合MOSEFT的代表則是DrMOS。

    分立式MOSFET：

分立式MOSFET的兩種封裝形式、實物以及結構圖

    MOSFET管有三個電極，分別為源極（S）和柵極（G）；中間的為漏極（D），柵極是控制極，給柵極（G）高電位，MOSFET導通（開），低電位關閉（關）。

    MOSEFT的主要參數有三個：漏極（D）和源極（S）的最大電壓，漏極（D）和源極（S）的最大導通電阻，漏極可通過的最大電流。這三個參數都是在最大電壓下的最大值，當電壓降低，以及溫度偏高時，導通電流會減小。

    單MOSEFT一般采用一進二出結構，還要配驅動芯片，組成的供電電路稱之為分立式電路，優點是成本相對偏低，缺點是電能轉換效率低，費電。

    整合式DrMOS：

    Intel與2004年發布PC平臺的DrMOS規范，2005年DrMOS問世，目前已經有十幾家Power芯片廠商研發生產。

Intel DrMOS規范規定的DrMOS信號和芯片引腳

瑞薩科技研發的第二代DrMOS芯片R2J20602原理圖

RJ20602的外形圖

    DrMOS除了體積小安裝小（分離式MOSFET的四分之一）以外，在轉換效率、熱功耗、工作頻率以及寄生電感等方面都優于分立式供電設計。

    首先DrMOS由于把驅動IC和MOSEFT集成在一個芯片內，一體化設計，使驅動IC和MOSEFT更協調，經過設計優化，DrMOS可以工作在更高的頻率。電流轉換效率有很大提高。第2代DrMOS是目前市場上轉換效率最高的MOSEFT。

    其次，DrMOS的熱功耗很小，發熱量很低。在同等條件下，溫度要比分立式低40多度。

左圖為分立式MOSFET工作溫度，右圖為DrMOS工作溫度，兩者相差近40攝氏度。

    接著，DrMOS比普通MOSFET的尖峰噪聲低，輸出電壓更穩定。

左圖為分立式MOSFET的尖峰電壓，右圖為DrMOS的尖峰電壓，兩者相差接近8V

    最后，DrMOS比普通MOSFET的瞬態響應時間短，響應CPU動態負載快，電流變化速度快。

DrMOS的瞬態響應時間要遠小于分立式MOSFET

    其實DrMOS的好處也不是一句話兩句話幾張圖能夠讓大家明白的，具體還是要在日常的使用過程中體現。接下來我們來看看微星主板目前所采用的另一項頂尖技術——Hi-C電容。