擁有二代基因 微星P55-GD85多圖賞析!

    微星獨(dú)特技術(shù)之DrMOS

    微星科技近幾年在主板的研發(fā)方面推出了多項(xiàng)獨(dú)特的技術(shù)及設(shè)計(jì)，之前我們的介紹也只局限于宣傳資料上的文字，而今天我們將比較詳細(xì)的向大家介紹一下目前微星科技在主板的設(shè)計(jì)及用料方面有哪些獨(dú)特之處。

    首先就是微星目前的當(dāng)家技術(shù)——DrMOS。

    在討論DrMOS之前，我們先要簡(jiǎn)單介紹一下剛才討論過的一個(gè)名詞——場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET就是起到“開關(guān)”的作用。它可不是一般的開關(guān)，一秒鐘開關(guān)頻率要高達(dá)一萬次！所以我們要看看MOSFET是如何進(jìn)行開關(guān)的。

MOSFET——場(chǎng)效應(yīng)管

    MOSFET的全稱是：金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英文全稱是：Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor。MOSFET具有開關(guān)速度極快、內(nèi)阻小、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電流小（0.1μA左右）、熱穩(wěn)定性好、工作電流大、能夠進(jìn)行簡(jiǎn)單并聯(lián)等特點(diǎn)，非常適合作為開關(guān)管使用。

    主板經(jīng)常采用的MOSEFT基本上有二大類：分立MOSEFT和整合MOSEFT。分立MOSEFT有二種封裝：D型封裝的，POWER型封裝的。整合MOSEFT的代表則是DrMOS。

    分立式MOSFET：

分立式MOSFET的兩種封裝形式、實(shí)物以及結(jié)構(gòu)圖

    MOSFET管有三個(gè)電極，分別為源極（S）和柵極（G）；中間的為漏極（D），柵極是控制極，給柵極（G）高電位，MOSFET導(dǎo)通（開），低電位關(guān)閉（關(guān)）。

    MOSEFT的主要參數(shù)有三個(gè)：漏極（D）和源極（S）的最大電壓，漏極（D）和源極（S）的最大導(dǎo)通電阻，漏極可通過的最大電流。這三個(gè)參數(shù)都是在最大電壓下的最大值，當(dāng)電壓降低，以及溫度偏高時(shí)，導(dǎo)通電流會(huì)減小。

    單MOSEFT一般采用一進(jìn)二出結(jié)構(gòu)，還要配驅(qū)動(dòng)芯片，組成的供電電路稱之為分立式電路，優(yōu)點(diǎn)是成本相對(duì)偏低，缺點(diǎn)是電能轉(zhuǎn)換效率低，費(fèi)電。

    整合式DrMOS：

    Intel與2004年發(fā)布PC平臺(tái)的DrMOS規(guī)范，2005年DrMOS問世，目前已經(jīng)有十幾家Power芯片廠商研發(fā)生產(chǎn)。

Intel DrMOS規(guī)范規(guī)定的DrMOS信號(hào)和芯片引腳

瑞薩科技研發(fā)的第二代DrMOS芯片R2J20602原理圖

RJ20602的外形圖

    DrMOS除了體積小安裝小（分離式MOSFET的四分之一）以外，在轉(zhuǎn)換效率、熱功耗、工作頻率以及寄生電感等方面都優(yōu)于分立式供電設(shè)計(jì)。

    首先DrMOS由于把驅(qū)動(dòng)IC和MOSEFT集成在一個(gè)芯片內(nèi)，一體化設(shè)計(jì)，使驅(qū)動(dòng)IC和MOSEFT更協(xié)調(diào)，經(jīng)過設(shè)計(jì)優(yōu)化，DrMOS可以工作在更高的頻率。電流轉(zhuǎn)換效率有很大提高。第2代DrMOS是目前市場(chǎng)上轉(zhuǎn)換效率最高的MOSEFT。

    其次，DrMOS的熱功耗很小，發(fā)熱量很低。在同等條件下，溫度要比分立式低40多度。

左圖為分立式MOSFET工作溫度，右圖為DrMOS工作溫度，兩者相差近40攝氏度。

    接著，DrMOS比普通MOSFET的尖峰噪聲低，輸出電壓更穩(wěn)定。

左圖為分立式MOSFET的尖峰電壓，右圖為DrMOS的尖峰電壓，兩者相差接近8V

    最后，DrMOS比普通MOSFET的瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間短，響應(yīng)CPU動(dòng)態(tài)負(fù)載快，電流變化速度快。

DrMOS的瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間要遠(yuǎn)小于分立式MOSFET

    其實(shí)DrMOS的好處也不是一句話兩句話幾張圖能夠讓大家明白的，具體還是要在日常的使用過程中體現(xiàn)。接下來我們來看看微星主板目前所采用的另一項(xiàng)頂尖技術(shù)——Hi-C電容。