激超5.3GHz!網友分享戰旗H55超頻教程

    內存小參設置選項，很可惜這個主板不支持xmp，因此需要全手動調節，還好七彩虹給出的參數還算比較豐富，因為我內存比較好，所以可以選擇到7-7-7-21，一般的內存建議選擇9-9-9-27。

    XMP全名Extreme Memory Profile，是Intel在測試過各內存廠商的產品后為其定制的類似SPD的一系列優化性能的內存參數，而且是為超頻定制。因此最后要提的一個基本超頻技巧，就是如果你的內存支持XMP，別忘了打開它。有些內存是支持兩組XMP設定，有一組是跑低延遲的，一組是跑高頻的，記得按需選擇，別用低延遲的XMP去超高頻。另外，在XMP的基礎上，還是可以有一定的優化空間的。

    需要隨時與CPU通信，同時也要與外部存儲器例如硬盤通信。內存和CPU不一樣，并不是頻率越高，運算速度就越快。因為內存是一種有存取延時的存儲器，用戶的每一個操作，都要經過內存響應后交給CPU處理，而內存在讀取和寫入的時候，都會有一個響應時間，這個響應時間，表現就是通常所說的“時序”，它由四個阿拉伯數字組成，而在JEDEC規范中，這四個數字的排序是規定的，為：CL-tRCD-tRP-tRAS。下面分別簡單介紹一下這四個參數的意義。

    CAS（Column Address Strobe，列地址信號） Latency：簡稱CL值，表示從內存收到CPU的讀取命令后到讀取數據結束（響應）的延遲。是內存在確定地址后到讀取（寫入）數據之前的響應時間。通俗的說，就好比人的反應時間，從你看到某個事物到做出反應或者想法，你的大腦會有一個響應時間。

    RAS（Row Address Strobe，行地址信號） to CAS Delay：簡稱tRCD，從字面意思理解就是行地址信號到列地址信號的延遲，內存中的數據就好比一個表格，有行有列，當內存要讀寫某個指定地址的數據時，就需要找到它在第幾行第幾列，而內存會首先發送一個行地址信號（RAS），再發送一個列地址信號（CAS），而這兩個信號發送不是同時的，而是有延遲的，這個延遲就是tRCD，并且，這個延遲對同頻率下內存性能的影響最大。

    RAS Precharge：簡稱tRP，即RAS預充電時間。也就是內存從結束一個數據處理到下一個處理開始前的最短時間周期。

    Row Active Delay：簡稱tRAS，指從內存接受到一個新請求到激活內存地址的間隔，這個參數并不是太重要，因為它只是內存要創建一個新數據時候才用到的延遲，但這個值太高或太低都不好，太高了會導致內存地址激活周期變長，影響性能，太低了會造成已激活的地址提早進入非激活狀態，出現數據錯誤或需要重新激活。

    簡單的說，CL值是內存對同一地址的存取延時，而后邊三個則是尋址延時。

    內存宏觀延遲的算法很復雜，因為除了以上提到的四個參數外還有許多別的參數，但是我們可以用一個基本算法，計算存取延時，來評定內存的性能。首先我們要知道，以上提到的四個參數，單位都為“周期”，而不是納秒。一個周期是多長呢？這就是由內存頻率決定的。我們知道DDR3-1600的實際頻率為800MHz，DDR的意識是雙倍的數據傳輸率（Double Data Rate），并不是真實的工作頻率。所以DDR3-1600的內存在1秒鐘內可以工作800, 000, 000個周期。那么我們就可以反過來推算出它的頻率周期是1.25納秒，而根據上面提到CL值的含義，假設這里CL值為8 clock，那么我們就可以得到內存真正的存取延遲為1.25*8=10ns。

    作為風冷超頻加強包的一部分，開機進系統以后，按一下那個旋鈕旁的開關，燈亮了以后，可以通過旋轉旁邊的旋鈕提高外頻，對于極限產品來說，是很實際的功能，當然在風冷下也很好用。