真正的ITX小鋼炮!AMD R9 Nano顯卡首測

    HBM是什么？在顯卡上如何實(shí)現(xiàn)

    HBM，也就是High Bandwidth Memory技術(shù)，譯為高帶寬存儲(chǔ)，從字面意思上并不能夠直接想象出它的實(shí)現(xiàn)方式。HBM的實(shí)現(xiàn)方式是芯片堆棧。也就是從原先的平鋪方式更改為羅列在一起。AMD在CPU、GPU發(fā)展歷史上做出了不少貢獻(xiàn)，很多技術(shù)都是由AMD最先提出并實(shí)現(xiàn)。。HBM也將是在顯卡產(chǎn)品上最先一批推出、使用的革命性技術(shù)。

    HBM的示意圖如上，這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)現(xiàn)方式是：增加中介層，將CPU或GPU以及內(nèi)存芯片通通置于中介層上，并且將存儲(chǔ)單元垂直方向羅列。這樣一來，可以讓存儲(chǔ)芯片與核心距離拉近，開啟更高的總線位寬，簡化通信過程，降低功耗。AMD與合作伙伴聯(lián)合研發(fā)了首個(gè)中介層解決方案。HBM相對(duì)于傳統(tǒng)的GDDR5顯存，HBM的總線位寬提升了30倍，因此頻率需求會(huì)大大降低，最終位寬提升3.5倍，電壓從1.5V降低到1.3V，如此一來不僅提高性能，還降低了功耗。最終結(jié)果是，HBM可以實(shí)現(xiàn)單位能耗下性能3倍的提升。

     以AMD Radeon R9 290X為例，GPU和顯存PCB面積合計(jì)占用9900mm2，核心+顯存面積可以縮小50%以上，這還是不考慮到封裝陣腳所占用的空間。那么最終顯卡成品一定是可以大幅減小的，但是至于廠商是否愿意把非公版做成這樣，那就另當(dāng)別論了。

    仍有短板：HBM并非已完美無缺

    看起來，HBM是一個(gè)近乎無敵的新技術(shù)了：功耗低、體積小、性能強(qiáng)，事實(shí)是這樣嗎？并非如此。目前通過已有的技術(shù)資料來看，HBM仍有一個(gè)隱患存在。

    在AMD、海力士聯(lián)合研發(fā)的第一代HBM顯存方案中，每一顆都采用四層Die進(jìn)行堆疊，每個(gè)Die的容量為2Gb(256MB)，因此每顆容量為1GB。整體四顆，總的顯存容量就是4GB。當(dāng)然了，8GB HBM也可以有，但那只能在Fiji VR雙芯顯卡上實(shí)現(xiàn)，每個(gè)核心還是4GB。如前所述，這只是第一代HBM的情況，明年的第二代就會(huì)翻一番。AMD計(jì)算域圖形事業(yè)群CTO Joe Macri確認(rèn)了這一點(diǎn)。

    也就是說，我們能看到的第一代使用HBM顯卡的產(chǎn)品最多只有4GB容量，并且這個(gè)局限性是第三方廠商也無法改變的，沒錯(cuò)，就算華碩、藍(lán)寶石也不行，這遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了他們的能力范圍。可想而知，在交火或者高分辨率下，4GB顯存必然是一個(gè)隱患。當(dāng)然，最終產(chǎn)品還未出爐，我們期待AMD可以盡可能的優(yōu)化好這寶貴的4GB HBM顯存，能夠物盡其用。

    當(dāng)然，瑕不掩瑜，不可否認(rèn)HBM是這幾年來我們?cè)赑C硬件領(lǐng)域看到的最大膽、最具想象力的創(chuàng)新技術(shù)，正如過去一樣，AMD一直走在技術(shù)最前沿的，用它難以捉摸的想象力實(shí)現(xiàn)各種引領(lǐng)業(yè)界前進(jìn)。并且AMD一直堅(jiān)持自由開放的理念，相信這個(gè)技術(shù)在未來將會(huì)推廣到各個(gè)領(lǐng)域。至于市場方面的業(yè)績，似乎AMD并不是把它放在第一位。無論如何，我相當(dāng)期待更多采用HBM的新產(chǎn)品出現(xiàn)。