IDF背后：解讀Intel未來新品發展匯總

    完全無視同行們TSMC 、 GLOBALFOUNDRIES的追趕，通過IDF再次向業界宣布 Intel在制程技術上的領域地位英特爾是首家展示可運作的22nmSRAM和邏輯測試線路的公司。此一具備3億6400萬位的SRAM數組包括體積僅0.092平方微米的SRAM單元與29億個晶體管。這是目前已發布的可運作電路中最小的SRAM單元。  

    該22nm測試芯片代表第三代high-k金屬閘極技術的結晶，英特爾2年前于45nm制程引進該技術。英特爾目前仍是唯一將該高能源效率和高效能技術量產的公司，45nm處理器出貨量至今已超過2億顆。

    英特爾于兩年前展示了32nm制程的可運作測試芯片電路，此次則展示第三代high-k金屬閘極晶體管，也驗證了摩爾定律持續進步，超越專家先前預測的延展極限。英特爾22nm技術的其它重點摘要如下：    

 ˙在處理器和其它邏輯芯片以特定制程進行量產前，SRAM被運用做為測試工具(testvehicles)，以展現技術性能、制程良率和芯片可靠度。    

 ˙英特爾已全面進入22nm技術開發狀態，并將依時程將該公司的“tick-tock”model(鐘擺發展模式)延伸到下一世代。    

 ˙22nm測試芯片電路中包括了在22nm微處理器上將使用的SRAM內存和邏輯線路。    

   Intel全新22nm可將超過29億個電晶體放入只有指甲大小的面積，這有助Intel未來進一步提升處理器性能及集作更多的功能，尤其是對SoC產品更為重要。現時，該22nm測試晶片上同時包括了將被運用在未來英特爾微處理器上的SRAM及邏輯線路測試晶圓，為未來處理器研發作好準備。

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